脉冲激光模拟试验数字器件单粒子效应的机理与方法研究
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-14页 |
·研究目的及意义 | 第11页 |
·国内外研究现状 | 第11-12页 |
·本文内容安排 | 第12-13页 |
·本文解决的关键问题 | 第13-14页 |
第二章 研究背景 | 第14-22页 |
·空间粒子辐射环境 | 第14页 |
·数字器件发展现状 | 第14页 |
·单粒子效应 | 第14-18页 |
·单粒子翻转 | 第15-16页 |
·单粒子闩锁 | 第16-17页 |
·单粒子微闩锁 | 第17页 |
·单粒子多位翻转 | 第17页 |
·单粒子瞬态脉冲 | 第17页 |
·单粒子烧毁 | 第17-18页 |
·单粒子栅穿 | 第18页 |
·地面模拟单粒子效应试验方法 | 第18-20页 |
·重离子源 | 第18-19页 |
·锎-252 源 | 第19页 |
·质子和中子法 | 第19-20页 |
·脉冲激光 | 第20页 |
·常见的加固方法 | 第20-22页 |
第三章 脉冲激光模拟试验单粒子效应的方法 | 第22-25页 |
·研究历史 | 第22-23页 |
·脉冲激光模拟试验装置 | 第23页 |
·激光模拟的可行性与优劣 | 第23-25页 |
第四章 激光模拟试验单粒子效应的机理研究 | 第25-33页 |
·脉冲激光与重离子模拟试验单粒子的异同 | 第25-26页 |
·径迹结构 | 第25-26页 |
·响应时间 | 第26页 |
·脉冲激光与重离子拟合的关键问题 | 第26-32页 |
·等效LET 值换算 | 第26-32页 |
·多位翻转和覆盖性问题 | 第32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第五章 脉冲激光模拟单粒子效应试验 | 第33-43页 |
·被测芯片 | 第33-34页 |
·芯片预处理 | 第34页 |
·激光背部辐照聚焦调节深度 | 第34-35页 |
·被测器件测试系统及示意图 | 第35-38页 |
·单粒子效应试验过程 | 第38-42页 |
·单粒子翻转效应与闩锁效应试验 | 第38-39页 |
·多位翻转修正试验 | 第39-40页 |
·覆盖性试验 | 第40-41页 |
·多次闩锁效应及微闩锁效应试验 | 第41页 |
·闩锁效应对翻转效应的影响试验 | 第41-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第六章 脉冲激光模拟试验结果及分析 | 第43-56页 |
·单粒子效应试验结果及初步分析 | 第43-48页 |
·单粒子翻转效应试验结果 | 第43-44页 |
·单粒子闩锁效应试验结果 | 第44-45页 |
·写入数据与翻转截面的关系 | 第45-47页 |
·ASIC 和FPGA 翻转截面 | 第47-48页 |
·激光试验的关键问题的验证结果 | 第48-50页 |
·多位翻转修正结果 | 第49页 |
·覆盖问题试验结果 | 第49-50页 |
·激光准确定位的验证结果 | 第50-54页 |
·多次闩锁试验结果及分析 | 第50-51页 |
·微闩锁试验结果及分析 | 第51-52页 |
·闩锁对翻转的影响试验结果分析 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-56页 |
第七章 总结和展望 | 第56-58页 |
·总结 | 第56页 |
·展望 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-63页 |
在读期间发表的论文 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |