首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文

3.3kV IDEE-FCE快恢复二极管工作机理与特性研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
1 绪论第8-12页
    1.1 研究背景与意义第8页
    1.2 国内外研究进展第8-11页
        1.2.1 阳极结构的改进第8-9页
        1.2.2 阴极结构的改进第9-11页
    1.3 本文主要工作第11-12页
2 FRD的结构特点与工作机理第12-22页
    2.1 结构特点第12页
    2.2 FRD的工作机理第12-21页
        2.2.1 阻断机理分析第12-15页
        2.2.2 导通机理分析第15-18页
        2.2.3 反向恢复机理第18-21页
    2.3 本章小结第21-22页
3 IDEE-FCE FRD的特性研究第22-34页
    3.1 Sentaurus-TCAD仿真软件介绍第22页
    3.2 器件结构建模第22-23页
    3.3 反向阻断特性第23-24页
    3.4 正向导通特性第24-27页
        3.4.1 注入效率第24-25页
        3.4.2 四种结构FRD正向导通特性对比第25-26页
        3.4.3 IDEE-FCE FRD高低温下正向导通曲线对比第26-27页
    3.5 反向恢复特性第27-28页
        3.5.1 四种结构FRD反向恢复特性对比第27-28页
        3.5.2 FCE阴极对抗动态雪崩特性的改善第28页
    3.6 浪涌特性第28-32页
        3.6.1 高电流密度下的浪涌特性曲线第29-30页
        3.6.2 浪涌特性比较第30-32页
    3.7 本章小结第32-34页
4 参数优化设计第34-44页
    4.1 阳极参数对器件特性的影响第34-38页
        4.1.1 沟道宽度Wch对器件特性的影响第34-35页
        4.1.2 阳极n+区参数对器件特性的影响第35-36页
        4.1.3 阳极p+区参数对器件特性的影响第36-38页
    4.2 阴极参数对器件特性的影响第38-41页
        4.2.1 FCE单元宽度对反向恢复特性的影响第38-39页
        4.2.2 阴极p+区宽度比例对器件特性的影响第39-40页
        4.2.3 缓冲层对反向恢复特性的影响第40-41页
    4.3 阳极IDEE单元个数对特性的影响第41-43页
    4.4 优化后的结构参数第43页
    4.5 本章小结第43-44页
5 结论第44-45页
致谢第45-46页
参考文献第46-48页
附录:在读期间发表的论文第48页

论文共48页,点击 下载论文
上一篇:GCT横向变掺杂(VLD)结终端结构的优化设计
下一篇:高压FSRD少子寿命控制方法的研究