| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 碳化硼概述 | 第14-19页 |
| 1.2.1 碳化硼晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 碳化硼的性能 | 第16-17页 |
| 1.2.3 碳化硼的应用 | 第17-19页 |
| 1.3 碳化硼陶瓷材料的烧结 | 第19-22页 |
| 1.3.1 无压烧结 | 第19-20页 |
| 1.3.2 热压烧结 | 第20-21页 |
| 1.3.3 反应烧结 | 第21-22页 |
| 1.4 碳化硼复合材料 | 第22-26页 |
| 1.4.1 碳化硼-碳化物复合材料 | 第22-24页 |
| 1.4.2 碳化硼-硼化物复合材料 | 第24-25页 |
| 1.4.3 碳化硼-氧化物复合材料 | 第25-26页 |
| 1.5 反应烧结碳化硼复合材料的研究进展 | 第26-30页 |
| 1.5.1 传统反应烧结碳化硼复合材料 | 第26-28页 |
| 1.5.2 碳化硼多孔预制体渗Si | 第28页 |
| 1.5.3 游离Si含量的降低 | 第28-29页 |
| 1.5.4 合金熔渗 | 第29页 |
| 1.5.5 增强相增强反应烧结碳化硼复合材料 | 第29-30页 |
| 1.5.6 新型反应烧结碳化硼复合材料 | 第30页 |
| 1.6 研究的意义及主要内容 | 第30-33页 |
| 1.6.1 研究的意义 | 第30-31页 |
| 1.6.2 研究的主要内容 | 第31-33页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第33-41页 |
| 2.1 实验原料 | 第33页 |
| 2.2 实验设备和仪器 | 第33页 |
| 2.3 实验材料的制备 | 第33-36页 |
| 2.3.1 B4C复合粉体的制备 | 第34页 |
| 2.3.2 B4C复合粉体的成形 | 第34页 |
| 2.3.3 熔渗 | 第34-36页 |
| 2.4 材料的表征方法 | 第36-37页 |
| 2.4.1 热重及差热(TG-DTA)分析 | 第36页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第36页 |
| 2.4.3 扫描电镜(SEM)及激光共聚焦显微镜分析 | 第36页 |
| 2.4.4 透射电镜(TEM)分析 | 第36-37页 |
| 2.5 材料性能测试 | 第37-41页 |
| 2.5.1 密度测试 | 第37页 |
| 2.5.2 硬度测试 | 第37-38页 |
| 2.5.3 抗弯强度测试 | 第38-39页 |
| 2.5.4 断裂韧性测试 | 第39-41页 |
| 第3章 熔渗温度对RBBC复合材料组织与性能的影响 | 第41-61页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 RBBC复合材料的制备 | 第41-43页 |
| 3.3 RBBC复合材料相组成 | 第43-44页 |
| 3.4 熔渗温度对RBBC复合材料显微组织的影响 | 第44-54页 |
| 3.4.1 不同熔渗温度下RBBC复合材料的显微组织 | 第44-49页 |
| 3.4.2 碳化硼颗粒尺寸增大机理 | 第49-53页 |
| 3.4.3 SiC形貌演变机理 | 第53-54页 |
| 3.5 熔渗温度对RBBC复合材料致密度的影响 | 第54-55页 |
| 3.6 熔渗温度对RBBC复合材料力学性能的影响 | 第55-60页 |
| 3.6.1 熔渗温度对RBBC复合材料硬度的影响 | 第55-56页 |
| 3.6.2 熔渗温度对RBBC复合材料抗弯强度的影响 | 第56-58页 |
| 3.6.3 熔渗温度对RBBC复合材料断裂韧性的影响 | 第58-60页 |
| 3.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料组织与性能的影响 | 第61-79页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 B_4C-C复合粉体的制备 | 第61-65页 |
| 4.2.1 引入碳源的确定 | 第61-62页 |
| 4.2.2 分散方式对包覆效果的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.3 包覆次数及酚醛树脂-丙酮溶液浓度对包覆效果的影响 | 第63-65页 |
| 4.3 RBBC复合材料的制备 | 第65页 |
| 4.4 碳包覆对B_4C-C复合粉体形貌的影响 | 第65-67页 |
| 4.5 RBBC复合材料相组成 | 第67-68页 |
| 4.6 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料显微组织的影响 | 第68-71页 |
| 4.6.1 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料中碳化硼颗粒尺寸的影响 | 第68-69页 |
| 4.6.2 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料中SiC形貌的影响 | 第69-71页 |
| 4.7 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料致密度的影响 | 第71-72页 |
| 4.8 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料力学性能的影响 | 第72-78页 |
| 4.8.1 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料硬度的影响 | 第73-74页 |
| 4.8.2 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料抗弯强度的影响 | 第74-75页 |
| 4.8.3 碳包覆碳化硼对RBBC复合材料断裂韧性的影响 | 第75-77页 |
| 4.8.4 RBBC复合材料的增韧补强机制 | 第77-78页 |
| 4.9 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 碳化硼晶粒在Si液中长大机理的研究 | 第79-101页 |
| 5.1 引言 | 第79页 |
| 5.2 材料的制备 | 第79-80页 |
| 5.3 熔渗温度对碳化硼晶粒在Si液中长大行为的影响 | 第80-85页 |
| 5.3.1 熔渗温度对碳化硼晶粒形状的影响 | 第80-82页 |
| 5.3.2 熔渗温度对碳化硼晶粒长大行为的影响 | 第82-85页 |
| 5.4 不规则形状碳化硼晶粒在Si液中的长大行为 | 第85-92页 |
| 5.4.1 保温时间对碳化硼晶粒形状的影响 | 第86-87页 |
| 5.4.2 保温时间对不规则形状碳化硼晶粒尺寸的影响 | 第87-90页 |
| 5.4.3 不规则形状碳化硼晶粒的长大机理 | 第90-92页 |
| 5.5 多面体碳化硼晶粒在Si液中的长大行为 | 第92-98页 |
| 5.5.1 保温时间对多面体碳化硼晶粒尺寸的影响 | 第92-95页 |
| 5.5.2 多面体碳化硼晶粒的长大机理 | 第95-98页 |
| 5.6 碳化硼晶粒在Si液中的长大机理 | 第98-99页 |
| 5.7 本章小结 | 第99-101页 |
| 第6章 B_4C与Si反应机理的研究 | 第101-121页 |
| 6.1 引言 | 第101页 |
| 6.2 材料的制备 | 第101-102页 |
| 6.2.1 热压B_4C基体的制备 | 第101页 |
| 6.2.2 B4C-Si反应界面的制备 | 第101-102页 |
| 6.3 B-C-Si体系热力学计算 | 第102-105页 |
| 6.4 B_4C与Si反应界面结构 | 第105-107页 |
| 6.4.1 B_4C与Si反应界面形成机理 | 第105-106页 |
| 6.4.2 B_4C与Si反应层相组成 | 第106-107页 |
| 6.5 反应温度对B_4C与Si反应的影响 | 第107-111页 |
| 6.5.1 反应温度对B_4C与Si反应层尺寸的影响 | 第107-109页 |
| 6.5.2 反应温度对B_4C与Si反应界面结构的影响 | 第109-110页 |
| 6.5.3 反应温度对B_4C与Si反应层中SiC形貌的影响 | 第110-111页 |
| 6.6 反应时间对B_4C与Si反应的影响 | 第111-114页 |
| 6.6.1 反应时间对B_4C与Si反应层尺寸的影响 | 第111-113页 |
| 6.6.2 反应时间对B_4C与Si反应层显微组织的影响 | 第113-114页 |
| 6.7 B_4C与Si反应机理及过程 | 第114-120页 |
| 6.7.1 B_4C与Si反应机理 | 第114-117页 |
| 6.7.2 B_4C与Si反应过程 | 第117-120页 |
| 6.8 本章小结 | 第120-121页 |
| 第7章 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 攻读学位期间发表的论文和科研情况 | 第141-143页 |
| 作者简介 | 第143页 |
