大功率低阈值半导体激光器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 半导体激光器简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 半导体激光器研究进展 | 第8-10页 |
| 1.1.2 半导体激光器的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 大功率半导体激光器研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文内容和结构 | 第13-16页 |
| 1.3.1 研究对象 | 第13页 |
| 1.3.2 主要内容 | 第13-14页 |
| 1.3.3 结构安排 | 第14-16页 |
| 第2章 半导体激光器基本理论 | 第16-30页 |
| 2.0 半导体激光器工作原理 | 第16页 |
| 2.1 光增益 | 第16-23页 |
| 2.1.1 粒子数反转与光增益 | 第16-17页 |
| 2.1.2 增益介质 | 第17-18页 |
| 2.1.3 量子阱结构 | 第18-23页 |
| 2.2 光波导 | 第23-27页 |
| 2.2.1 光波导理论 | 第23页 |
| 2.2.2 大光腔结构 | 第23-25页 |
| 2.2.3 非对称波导结构 | 第25-27页 |
| 2.3 影响阈值电流的因素 | 第27-29页 |
| 2.3.1 电流的侧向扩展和载流子的扩散 | 第27-28页 |
| 2.3.2 欧姆电极 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 半导体激光器结构设计 | 第30-40页 |
| 3.1 设计思想 | 第30-31页 |
| 3.2 有源区设计 | 第31-35页 |
| 3.2.1 材料体系选择 | 第31页 |
| 3.2.2 材料系性能参数计算 | 第31-32页 |
| 3.2.3 体材料能带计算 | 第32-33页 |
| 3.2.4 应变量子阱带隙计算 | 第33-34页 |
| 3.2.5 发光波长计算 | 第34-35页 |
| 3.3 大光腔设计 | 第35-36页 |
| 3.4 整体结构设计 | 第36-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 半导体激光器工艺制备与改进 | 第40-52页 |
| 4.1 工艺改进 | 第40-44页 |
| 4.1.1 p型欧姆接触结构优化 | 第40-41页 |
| 4.1.2 退火条件改进 | 第41-43页 |
| 4.1.3 Au-Sn焊料电极 | 第43-44页 |
| 4.2 工艺制备 | 第44-51页 |
| 4.2.1 清洗 | 第44-45页 |
| 4.2.2 光刻脊形台 | 第45-47页 |
| 4.2.3 生长SiO_2 | 第47页 |
| 4.2.4 光刻引线孔 | 第47-49页 |
| 4.2.5 p型欧姆电极生长 | 第49页 |
| 4.2.6 磨片与n型欧姆电极生长 | 第49页 |
| 4.2.7 封装测试 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 测试与分析 | 第52-56页 |
| 5.1 光电特性测试结果 | 第52-53页 |
| 5.2 结果分析 | 第53-55页 |
| 5.2.1 阈值电流 | 第53-54页 |
| 5.2.2 内量子效率与内损耗 | 第54-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第6章 结论 | 第56-58页 |
| 6.1 结论 | 第56-57页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
