| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 非易失性存储器概述 | 第12-15页 |
| 1.2.1 Flash存储技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 磁存储器 | 第13-15页 |
| 1.2.3 铁电存储器 | 第15页 |
| 1.2.4 相变存储器 | 第15页 |
| 1.3 阻变存储器概述 | 第15-26页 |
| 1.3.1 阻变存储器的阻变机理 | 第16-22页 |
| 1.3.2 阻变存储器的研究进展 | 第22-25页 |
| 1.3.3 阻变存储器的性能参数要求 | 第25-26页 |
| 1.4 氧化物薄膜阻变存储器的制备方法 | 第26-31页 |
| 1.4.1 磁控溅射 | 第26-27页 |
| 1.4.2 反应溅射 | 第27-28页 |
| 1.4.3 其他物理气相沉积方法 | 第28页 |
| 1.4.4 化学气相沉积 | 第28-29页 |
| 1.4.5 原子层沉积法 | 第29-31页 |
| 1.4.6 其他薄膜生长方法 | 第31页 |
| 1.5 本论文的立题依据与研究内容 | 第31-35页 |
| 第二章 实验方法与表征 | 第35-43页 |
| 2.1 Al_2O_3基阻变存储器件的制备 | 第35-36页 |
| 2.1.1 衬底的清洗方法 | 第35页 |
| 2.1.2 阻变薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 2.1.3 器件的制备 | 第36页 |
| 2.2 Thermal ALD制备Al_2O_3薄膜 | 第36-39页 |
| 2.3 薄膜材料的表征方法 | 第39-41页 |
| 2.3.1 椭圆偏振光测量技术 | 第39-40页 |
| 2.3.2 原子力显微技术 | 第40-41页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱测试技术 | 第41页 |
| 2.4 氧化物薄膜阻变存储器的电学性能测试 | 第41-43页 |
| 第三章 Al_2O_3薄膜的电阻开关特性 | 第43-59页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 Al_2O_3薄膜的阻变存储特性 | 第43-52页 |
| 3.2.1 电极和薄膜厚度对器件性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.2 Ti/Al_2O_3/Pt阻变存储器的阻变特性 | 第46-50页 |
| 3.2.3 氧化铝薄膜的阻变机理讨论 | 第50-52页 |
| 3.3 退火对氧化铝薄膜阻变特性的影响 | 第52-57页 |
| 3.3.1 器件的制备 | 第52页 |
| 3.3.2 性能测试与分析 | 第52-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 掺杂对ALD制备氧化铝薄膜的阻变性能影响 | 第59-73页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 原位掺Zn对氧化铝薄膜阻变特性的影响 | 第59-64页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第59-61页 |
| 4.2.2 性能测试与分析 | 第61-64页 |
| 4.3 氢等离子体原位处理对氧化铝薄膜阻变特性的影响 | 第64-71页 |
| 4.3.1 器件的制备 | 第64-65页 |
| 4.3.2 Ti/HPET Al_2O_3/Pt阻变存储器的性能 | 第65-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 全文总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历 | 第83-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第85页 |
