| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 选题背景 | 第9页 |
| 1.1.2 选题意义 | 第9-10页 |
| 1.2 CNTs的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 CNTs的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.2.2 CNTs膜的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.3 CNTs膜的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.4 CNTs膜的转移 | 第14页 |
| 1.3 CNTs的电磁屏蔽方面的研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 电磁屏蔽的原理 | 第14-16页 |
| 1.3.2 电磁屏蔽材料的分类 | 第16-18页 |
| 1.3.3 CNTs在电磁屏蔽方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 研究目标、研究内容及技术路线 | 第19-21页 |
| 1.4.1 研究目标 | 第19页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.3 技术路线 | 第20-21页 |
| 第二章 实验材料、设备及测试 | 第21-25页 |
| 2.1 实验材料与试剂 | 第21页 |
| 2.2 实验仪器与设备 | 第21-22页 |
| 2.3 实验测试方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 XRD分析 | 第22页 |
| 2.3.2 电镜分析（SEM、HR-TEM） | 第22页 |
| 2.3.3 衰减全反射-傅里叶变换红外光谱（ATR-FTIR） | 第22页 |
| 2.3.4 Raman光谱 | 第22-23页 |
| 2.3.5 接触角测试及表面平均粗糙度分析 | 第23页 |
| 2.3.6 方块电阻及电阻测试 | 第23-24页 |
| 2.3.7 电磁屏蔽效能测试 | 第24-25页 |
| 第三章 自支撑CMF的无损分离 | 第25-38页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 实验部分 | 第26-27页 |
| 3.2.1 CNTs的制备 | 第26页 |
| 3.2.2 自支撑CMF的制备 | 第26页 |
| 3.2.3 成膜基底的制备 | 第26-27页 |
| 3.2.4 测试仪器及测试方法 | 第27页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第27-37页 |
| 3.3.1 CMF在基底上的宏观形貌 | 第27-28页 |
| 3.3.2 接触角分析及表面自由能计算 | 第28-31页 |
| 3.3.3 ATR-FTIR红外光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.3.4 基底表面平均粗糙度分析 | 第32-34页 |
| 3.3.5 自支撑CMF宏观及微观形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.3.6 CMF拉曼光谱分析 | 第35-36页 |
| 3.3.7 CMF的拉伸性能 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电沉积铜CMF的电磁屏蔽性能 | 第38-51页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 4.2.1 在CMF上电沉积Cu薄层工艺 | 第38-39页 |
| 4.2.2 电沉积溶液的配置 | 第39-40页 |
| 4.2.3 阴极的制备及电沉积装置组装 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-50页 |
| 4.3.1 CMF厚度均匀性分析 | 第40-42页 |
| 4.3.2 CMF及Cu/CMF的宏观形貌图 | 第42-44页 |
| 4.3.3 CMF与Cu/CMF的XRD分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 Cu/CMF的SEM形貌分析 | 第45-46页 |
| 4.3.5 Cu/CMF柔性及其导电性能分析 | 第46-48页 |
| 4.3.6 Cu/CMF电磁屏蔽性能分析 | 第48-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 全文总结 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第60-61页 |