| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-43页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·超导材料简介 | 第13-15页 |
| ·二硼化镁的晶体结构和超导电性 | 第15-26页 |
| ·晶体结构 | 第15-16页 |
| ·二硼化镁的超导性能 | 第16-21页 |
| ·二硼化镁的超导电性机制 | 第21-26页 |
| ·二硼化镁的制备方法 | 第26-31页 |
| ·块体样品 | 第26-28页 |
| ·线带材 | 第28-30页 |
| ·单晶、薄膜制备方法 | 第30-31页 |
| ·二硼化镁的超导性能的改善 | 第31-40页 |
| ·原始粉末 | 第31-32页 |
| ·化学掺杂 | 第32-38页 |
| ·二硼化镁的优越性及前景 | 第38-40页 |
| ·本文研究思路 | 第40-43页 |
| 第二章 多晶MgB_2中甘氨酸的最佳添加量及作用机理 | 第43-57页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·添加甘氨酸的MgB_2样品的制备及检测 | 第43-44页 |
| ·含甘氨酸的MgB_2样品的相组成及结构特征 | 第44-49页 |
| ·样品中各相的含量 | 第44-46页 |
| ·样品中各相的颗粒尺寸及分布 | 第46-49页 |
| ·含甘氨酸的MgB_2样品的超导性能 | 第49-52页 |
| ·样品的临界电流密度水平 | 第49-52页 |
| ·超导转变温度的对比 | 第52页 |
| ·有效钉扎中心MgO的形成机理 | 第52-54页 |
| ·热力学分析 | 第52-53页 |
| ·添加甘氨酸的MgB_2样品的烧结过程 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-57页 |
| 第三章 添加甘氨酸的样品的Mg–B固相反应动力学分析 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·反应动力学的研究方法 | 第57-59页 |
| ·研究方法的分类 | 第57-58页 |
| ·Flynn–Wall–Ozawa法 | 第58-59页 |
| ·添加 3 wt.%甘氨酸的样品的热分析数据 | 第59-61页 |
| ·Mg–B固–固反应阶段的动力学分析 | 第61-66页 |
| ·最概然机理函数的确定 | 第61-64页 |
| ·激活能和指前因子的确定 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第四章 机械球磨法制备添加甘氨酸的多晶MgB_2块体 | 第67-81页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·样品的制备及检测 | 第68-69页 |
| ·原始B粉的预球磨 | 第68页 |
| ·烧结程序和检测 | 第68-69页 |
| ·预球磨硼粉制备的含甘氨酸样品的相组成和结构特征 | 第69-77页 |
| ·烧结样品和球磨B粉的相组成 | 第69-70页 |
| ·样品中的相含量 | 第70-71页 |
| ·样品的微观组织 | 第71-77页 |
| ·样品的超导性能 | 第77-79页 |
| ·球磨对碳掺杂水平的影响 | 第77-78页 |
| ·样品的临界电流密度 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79-81页 |
| 第五章 溶液包覆法制备添加甘氨酸的多晶MgB_2块体 | 第81-97页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·样品制备及检测 | 第81-82页 |
| ·包覆法制备的样品中的MgO及样品的超导性能 | 第82-86页 |
| ·包覆法对MgO含量的影响 | 第82-83页 |
| ·包覆法制备样品的临界电流密度 | 第83-84页 |
| ·样品中MgO的尺寸 | 第84-86页 |
| ·影响包覆法制备样品的临界电流密度的其他因素 | 第86-93页 |
| ·有效碳掺杂量 | 第86-89页 |
| ·MgB_2的晶粒尺寸及结晶度 | 第89-92页 |
| ·样品的晶粒间连接性 | 第92-93页 |
| ·包覆法制备的样品的烧结过程 | 第93-95页 |
| ·小结 | 第95-97页 |
| 第六章 添加甘氨酸的多晶MgB_2块体的铜活化低温烧结 | 第97-111页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·仅含甘氨酸的MgB_2块体的低温制备 | 第97-99页 |
| ·样品制备及检测 | 第97-98页 |
| ·样品的相组成和微观组织 | 第98-99页 |
| ·含甘氨酸的MgB_2样品的铜活化低温烧结 | 第99-102页 |
| ·样品制备及检测 | 第99-100页 |
| ·Cu活化的低温烧结过程 | 第100-102页 |
| ·Cu活化低温烧结样品的超导性能 | 第102-108页 |
| ·烧结样品的杂质相含量及尺寸 | 第102-104页 |
| ·烧结样品的临界电流密度 | 第104-107页 |
| ·其他影响临界电流密度的因素 | 第107-108页 |
| ·低温烧结样品中杂质相的钉扎机制 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 第七章 两步烧结法制备添加甘氨酸的多晶MgB_2块体 | 第111-125页 |
| ·引言 | 第111-112页 |
| ·未掺杂的MgB_2样品的两步烧结 | 第112-119页 |
| ·样品制备和检测 | 第112页 |
| ·决定样品超导性能的因素 | 第112-117页 |
| ·样品的超导性能 | 第117-119页 |
| ·添加甘氨酸的MgB_2样品的两步烧结 | 第119-122页 |
| ·添加甘氨酸样品的制备和检测 | 第119-120页 |
| ·样品的超导性能 | 第120-122页 |
| ·小结 | 第122-125页 |
| 第八章 氨基酸对多晶MgB_2作用机制的探讨和总结 | 第125-139页 |
| ·引言 | 第125页 |
| ·添加组氨酸的MgB_2样品的制备及检测 | 第125-126页 |
| ·含组氨酸的样品的相组成及结构特征 | 第126-131页 |
| ·相组成分析 | 第126-127页 |
| ·样品中MgO形态的演变 | 第127-129页 |
| ·有效碳掺杂水平 | 第129-131页 |
| ·含组氨酸的样品的超导性能 | 第131-136页 |
| ·样品超导转变温度的对比 | 第131-132页 |
| ·样品临界电流密度的对比 | 第132-133页 |
| ·组氨酸掺杂提高MgB_2超导性能的机制 | 第133-136页 |
| ·氨基酸在MgB_2体系中作用方式的总结 | 第136页 |
| ·小结 | 第136-139页 |
| 第九章 全文结论与创新点 | 第139-143页 |
| ·主要结论 | 第139-141页 |
| ·创新点与下一步工作思路 | 第141-143页 |
| 参考文献 | 第143-159页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第159-163页 |
| 致谢 | 第163-165页 |
