| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 综述 | 第11-33页 |
| ·3d及4f轨道铁磁性材料的研究简述 | 第13-16页 |
| ·过渡金属氧化物及其掺杂材料 | 第13-14页 |
| ·半金属材料 | 第14-15页 |
| ·sp轨道磁性的研究意义 | 第15-16页 |
| ·sp型半导体中的自旋极化 | 第16-31页 |
| ·非磁性体系中空位缺陷引发的极化行为 | 第17-24页 |
| ·非磁性元素掺杂诱发的铁磁性 | 第24-29页 |
| ·理想块体材料—IIA-V族及IIA-IV族化合物 | 第29-31页 |
| ·本论文的工作 | 第31-33页 |
| 第二章 实验方法与理论计算 | 第33-43页 |
| ·样品制备 | 第33-35页 |
| ·溅射成膜原理 | 第33-34页 |
| ·非过渡金属掺杂氧化物薄膜的制备 | 第34-35页 |
| ·多晶SnN_x薄膜的制备及退火处理 | 第35页 |
| ·结构表征及物性分析 | 第35-39页 |
| ·表面形貌 | 第35-36页 |
| ·结构表征 | 第36-38页 |
| ·成分分析 | 第38页 |
| ·光学性质分析 | 第38页 |
| ·物理性能测量系统(PPMS) | 第38-39页 |
| ·磁性测量系统(MPMS) | 第39页 |
| ·第一性原理计算 | 第39-43页 |
| ·计算方法概述 | 第39-41页 |
| ·计算软件简介 | 第41-43页 |
| 第三章 半导体施主缺陷的自旋极化 | 第43-59页 |
| ·多晶SnN_x薄膜的结构和性质 | 第43-51页 |
| ·多晶SnN_x薄膜的结构 | 第44-46页 |
| ·多晶SnN_x的光学性质和成分分析 | 第46-47页 |
| ·多晶SnN_x的电输运特性 | 第47-48页 |
| ·多晶SnN_x的磁性 | 第48-51页 |
| ·多晶Ce_(1-x)Sn_xO_2薄膜的结构和性质 | 第51-58页 |
| ·多晶Ce_(1-x)Sn_xO_2薄膜的结构 | 第51-52页 |
| ·多晶Ce_(1-x)Sn_xO_2薄膜的磁性及成分分析 | 第52-55页 |
| ·Ce_(1-x)Sn_xO_2的第一性原理计算 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 n型半导体的受主缺陷改造及自旋极化 | 第59-81页 |
| ·外延Sn_(1-x)Mg_xO_2薄膜的结构及性质 | 第60-66页 |
| ·外延Sn_(1-x)Mg_xO_2薄膜的结构 | 第60-62页 |
| ·外延Sn_(1-x)Mg_xO_2的光学性质 | 第62-63页 |
| ·薄膜的磁性来源及讨论 | 第63-66页 |
| ·外延Sn_(1-x)K_x O_2薄膜的结构及性质 | 第66-72页 |
| ·外延Sn_(1-x)K_xO_2薄膜的结构 | 第66-68页 |
| ·光学性质和成分分析 | 第68-70页 |
| ·外延Sn_(1-x)K_xO_2薄膜的磁性 | 第70-72页 |
| ·N掺杂SnO_2的结构和性质 | 第72-79页 |
| ·N掺杂SnO_2的薄膜结构 | 第72-73页 |
| ·薄膜成分及光学性质 | 第73-76页 |
| ·SnO_2:N薄膜的磁性及第一性原理分析 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 本征p型半导体的缺陷极化 | 第81-89页 |
| ·计算模型和方法 | 第81-82页 |
| ·CuCl的电子结构及缺陷形成能 | 第82-83页 |
| ·Y(B、C、N和O)掺杂CuCl的磁性和电子结构 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 基于sp型二元半金属超晶格的自旋注入 | 第89-103页 |
| ·纤锌矿结构氮化物超晶格 | 第89-96页 |
| ·计算模型和方法 | 第89-90页 |
| ·超晶格的基态及电子结构 | 第90-91页 |
| ·超晶格的磁稳定性 | 第91-93页 |
| ·超晶格中极化的来源 | 第93-96页 |
| ·盐岩矿结构硫化物超晶格 | 第96-101页 |
| ·超晶格的结构基态和磁性 | 第97-100页 |
| ·畸变下超晶格的结构和磁稳定性 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第七章 总结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-121页 |
| 攻读博士学位期间完成的研究成果 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
