一种热释电红外传感器信号处理专用芯片的设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景和现实意义 | 第8-9页 |
| ·红外辐射理论和 PIR 系统原理 | 第9-12页 |
| ·红外辐射理论及热释电效应 | 第9-10页 |
| ·PIR 探测系统的结构和原理 | 第10-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12页 |
| ·论文的组织架构 | 第12-14页 |
| 第二章 芯片的拓扑结构及管脚定义 | 第14-20页 |
| ·系统拓扑结构及原理 | 第14-15页 |
| ·系统拓扑结构 | 第14页 |
| ·系统原理描述 | 第14-15页 |
| ·芯片引脚定义和性能指标 | 第15-19页 |
| ·芯片的主要特性 | 第15-16页 |
| ·芯片定义 | 第16-17页 |
| ·芯片内部框图 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 芯片模拟模块的设计和仿真 | 第20-50页 |
| ·上电复位模块 | 第20-21页 |
| ·带隙基准模块 | 第21-27页 |
| ·带隙基准的原理 | 第21-23页 |
| ·带隙基准电路的设计 | 第23-27页 |
| ·电流源模块 | 第27-28页 |
| ·比较器及其在芯片中的两种应用 | 第28-32页 |
| ·比较器的原理及仿真 | 第28-30页 |
| ·比较器在芯片中的应用 | 第30-32页 |
| ·频率可调节振荡器 | 第32-34页 |
| ·LDO 线性稳压器模块 | 第34-43页 |
| ·LDO 线性稳压器的原理概述 | 第34-35页 |
| ·LDO 线性稳压器的主要性能指标 | 第35-38页 |
| ·LDO 误差放大器的设计 | 第38-39页 |
| ·LDO 的片内集成补偿电路 | 第39-42页 |
| ·LDO 的仿真结果与分析 | 第42-43页 |
| ·传感器信号滤波放大电路 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 数字部分的设计与仿真 | 第50-62页 |
| ·芯片数字部分结构与功能概述 | 第50-51页 |
| ·数字部分基本单元电路 | 第51-54页 |
| ·MOSFET 开关和 CMOS 传输门结构 | 第51-52页 |
| ·RS 锁存器 | 第52-53页 |
| ·施密特触发器 | 第53页 |
| ·异步复位的 D 触发器 | 第53-54页 |
| ·时钟分频电路 | 第54-55页 |
| ·数字滤波电路 | 第55-56页 |
| ·有效信号上升沿检测模块 | 第56页 |
| ·触发延迟和触发封锁控制电路 | 第56-58页 |
| ·模式选择和逻辑判断电路 | 第58-59页 |
| ·数字部分的仿真结果 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 芯片版图绘制以及应用电路的设计与优化 | 第62-68页 |
| ·工艺介绍 | 第62页 |
| ·版图设计 | 第62-65页 |
| ·设计规则和匹配规则 | 第62-63页 |
| ·一些降低干扰的措施： | 第63-64页 |
| ·设计验证的基本步骤： | 第64-65页 |
| ·芯片主要模块和整体版图 | 第65-67页 |
| ·外围应用电路的调试与优化 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
