| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 主要符号对照表 | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 太阳能与太阳能电池简介 | 第10-12页 |
| 1.2 铜基多元半导体材料特点 | 第12-14页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 太阳能电池基本原理 | 第16-30页 |
| 2.1 太阳光谱与光伏效应 | 第16-17页 |
| 2.2 pN型异质结电池器件理论 | 第17-24页 |
| 2.2.1 异质结能带分析 | 第17-19页 |
| 2.2.2 异质结光电特性 | 第19-22页 |
| 2.2.3 太阳能电池性能的基本参数 | 第22-24页 |
| 2.3 吸收层梯度带隙太阳能电池的基本概念 | 第24-26页 |
| 2.3.1 带隙可调材料的光谱吸收 | 第24-25页 |
| 2.3.2 梯度带隙内的内建电场 | 第25页 |
| 2.3.3 梯度带隙太阳能电池的暗电流特性 | 第25-26页 |
| 2.4 杂质光伏效应(IPV) | 第26-28页 |
| 2.5 模拟软件SCAPS简介 | 第28-30页 |
| 第3章 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜太阳能电池性能模拟分析 | 第30-46页 |
| 3.1 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜太阳能电池模型的建立 | 第30-32页 |
| 3.2 Cu_2ZnSn(S,Se)_4 薄膜太阳能电池的初始模拟结果 | 第32-34页 |
| 3.3 吸收层对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 太阳能电池性能的影响 | 第34-43页 |
| 3.3.1 吸收层载流子浓度的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 吸收层缺陷浓度的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 吸收层厚度的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4 吸收层Se/(Se+S)含量的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.5 梯度带隙结构对电池性能的影响 | 第38-43页 |
| 3.4 缓冲层对Cu_2ZnSn(S,Se)_4 太阳能电池性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.1 缓冲层载流子浓度的影响 | 第43页 |
| 3.4.2 缓冲层厚度的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-46页 |
| 第4章 Cu_2(Sn,Ge)S_3 薄膜太阳能电池性能模拟分析 | 第46-62页 |
| 4.1 Cu_2(Sn,Ge)S_3 薄膜太阳能电池模型的建立 | 第46-48页 |
| 4.2 Cu_2(Sn,Ge)S_3 薄膜太阳能电池的初始模拟结果 | 第48-49页 |
| 4.3 吸收层对Cu_2(Sn,Ge)S_3 太阳能电池性能的影响 | 第49-59页 |
| 4.3.1 吸收层Ge/(Ge+Sn)含量的影响 | 第49-52页 |
| 4.3.2 吸收层厚度的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 吸收层载流子浓度的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.4 吸收层本征缺陷浓度的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.5 吸收层梯度带隙的影响 | 第55-59页 |
| 4.4 缓冲层对Cu_2(Sn,Ge)S_3 太阳能电池性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.4.1 缓冲层厚度的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.2 缓冲层电子亲和势的影响 | 第60-61页 |
| 4.5 小结 | 第61-62页 |
| 第5章 钛掺杂CuGaS_2薄膜多带隙太阳能电池性能模拟 | 第62-67页 |
| 5.1 钛掺杂CuGaS_2太阳能电池模型的建立 | 第62-63页 |
| 5.2 钛掺杂CuGaS_2太阳能电池的模拟与分析 | 第63-66页 |
| 5.2.1 背面场对CuGaS_2薄膜电池性能的影响 | 第63-64页 |
| 5.2.2 杂质能级位置对CuGaS_2薄膜电池性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.2.3 掺杂浓度对CuGaS_2薄膜电池性能的影响 | 第65-66页 |
| 5.3 小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 个人简历 | 第76页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第76页 |
