应变PMOS器件阈值电压及其可靠性的模拟研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·应变硅的研究动态	第8-10页
·论文的主要内容	第10-11页
第二章 应变硅技术的物理机制	第11-19页
·应力和应变	第11-12页
·应变的影响	第12-16页
·应变对能带的影响	第13-14页
·应变对载流子迁移率的影响	第14-16页
·新型器件结构及材料	第16-19页
第三章 应变硅PMOS 阈值电压的研究	第19-35页
·Si/SiGe 异质结参数	第19-22页
·阈值电压	第22-34页
·一维阈值电压模型	第23-25页
·二维泊松方程	第25-26页
·分离变量法	第26-30页
·变分法	第30-34页
·本章小结	第34-35页
第四章 SiGe 源漏PMOS 的可靠性研究	第35-52页
·深亚微米MOS 器件泄漏电流的机制	第35-41页
·反偏pn 结泄漏电流	第35-36页
·亚阈值泄漏电流	第36-38页
·栅氧化层隧穿电流	第38-40页
·热载流子注入引起的栅电流	第40页
·栅诱导泄漏电流GIDL	第40页
·击穿电流	第40-41页
·SiGe 源漏应变PMOS 泄漏电流的模拟研究	第41-46页
·关态泄漏电流	第41-43页
·亚阈值电流	第43-45页
·栅诱导泄漏电流	第45-46页
·应变PMOS 退化特性的模拟研究	第46-51页
·影响器件退化特性的主要因素	第46-47页
·退化特性的模拟研究	第47-51页
·减小NBTI 效应的方法	第51页
·本章小结	第51-52页
第五章 总结与展望	第52-54页
致谢	第54-55页
参考文献	第55-63页
附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文	第63页