| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| ·物质的微观磁性 | 第14-19页 |
| ·交换相互作用理论 | 第15-16页 |
| ·局域模型和巡游模型 | 第16-19页 |
| ·自旋电子学和稀磁半导体 | 第19-24页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第21页 |
| ·稀磁性半导体 | 第21-23页 |
| ·DMS材料制备方法 | 第23-24页 |
| ·宽带隙半导体材料研究背景及意义 | 第24-30页 |
| ·氮化镓GaN基材料 | 第25-29页 |
| ·碳化硅SiC材料 | 第29-30页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第二章 密度泛函理论 | 第32-58页 |
| ·第一性原理和密度泛函理论的基本概念 | 第32-38页 |
| ·电子密度的由来 | 第32-33页 |
| ·Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似 | 第33-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第36-38页 |
| Thomas-Fermi模型 | 第36页 |
| Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第38-43页 |
| ·局域密度近似(Local density approximation,LDA) | 第39-40页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第40-41页 |
| ·轨道泛函:LDA(GGA)+U | 第41页 |
| ·杂化密度泛函(Hybrid Density Function) | 第41-42页 |
| ·自旋限制与非限制计算 | 第42页 |
| ·密度泛函理论的修正与扩展 | 第42-43页 |
| ·常用软件简介 | 第43-45页 |
| ·能带计算 | 第45-56页 |
| ·Bloch定理和能带结构 | 第45-48页 |
| ·能态密度和费米能级 | 第48-49页 |
| ·能带计算方法 | 第49-54页 |
| ·晶体能带及晶体物理性质的计算过程 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第三章 碳掺杂氮化镓弱磁性的研究 | 第58-68页 |
| ·研究背景 | 第58页 |
| ·计算方法与模型 | 第58-59页 |
| ·实验验证 | 第59-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第四章 碳/锰共掺氮化镓磁性的研究 | 第68-76页 |
| ·研究背景 | 第68页 |
| ·实验过程 | 第68-70页 |
| ·实验过程与反应机理 | 第68-69页 |
| ·样品的磁性特征 | 第69-70页 |
| ·计算方法与模型 | 第70-71页 |
| ·计算结果与讨论 | 第71-73页 |
| ·计算的详细过程 | 第71-73页 |
| ·铁磁增强的机理 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第五章 钆/硅共掺杂氮化镓磁性的研究 | 第76-84页 |
| ·研究背景 | 第76-77页 |
| ·计算方法与模型 | 第77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-81页 |
| ·缺陷的形成能 | 第77-79页 |
| ·Si掺杂Gd:GaN的磁性机理 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第六章 铝掺杂4H碳化硅磁性的研究 | 第84-92页 |
| ·研究背景 | 第84页 |
| ·计算方法与模型 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-91页 |
| ·Al掺杂4H-SiC | 第85-86页 |
| ·4H-SiC本征缺陷的影响 | 第86-88页 |
| ·计算结果 | 第88-90页 |
| ·Al掺杂的4H-SiC的铁磁机理 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第七章 总结与展望 | 第94-95页 |
| 攻读博士学位期间获奖情况、公开发表的论文及申请专利 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 附录 | 第98-109页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第109页 |
