| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·SiO_2基体中植入纳米晶的研究现状和发展 | 第11-16页 |
| ·SiO_2基体中植入纳米晶的制备 | 第11-12页 |
| ·SiO_2基体中金属、氧化物及磁性纳米晶的研究现状和发展 | 第12-14页 |
| ·SiO_2基体中半导体纳米晶的研究现状和发展 | 第14-16页 |
| ·研究内容 | 第16页 |
| ·研究结果 | 第16-18页 |
| 第二章 纳米材料基本特性及辐照效应基础介绍 | 第18-33页 |
| ·纳米材料的结构及性质 | 第18-21页 |
| ·纳米材料的结构 | 第18页 |
| ·纳米颗粒的基本性质 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的物理性质 | 第19-21页 |
| ·辐照效应 | 第21-28页 |
| ·辐照引起的缺陷种类 | 第23-24页 |
| ·辐射与物质的相互作用 | 第24-28页 |
| ·辐照损伤有关计算的简单理论 | 第28-33页 |
| ·辐照损伤深度—射程的计算 | 第28-30页 |
| ·辐照损伤程度估算 | 第30-33页 |
| 第三章 SIO_2玻璃中植入型GE纳米晶制备及热退火效应研究 | 第33-50页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34-36页 |
| ·Ge~+离子注入 | 第34-35页 |
| ·TRIM模拟 | 第35页 |
| ·热退火处理 | 第35页 |
| ·XPS分析 | 第35页 |
| ·TEM分析 | 第35页 |
| ·紫外—可见吸收光谱分析 | 第35页 |
| ·荧光光谱分析 | 第35-36页 |
| ·实验结果 | 第36-49页 |
| ·相关计算及结果 | 第36页 |
| ·XPS分析结果及讨论 | 第36-40页 |
| ·TEM分析结果及讨论 | 第40-42页 |
| ·光吸收分析结果及讨论 | 第42-46页 |
| ·荧光分析结果及讨论 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第四章 SIO_2玻璃中植入GE纳米晶辐照效应研究 | 第50-59页 |
| ·激光辐照概述 | 第50-51页 |
| ·激光与半导体相互作用基础 | 第50-51页 |
| ·实验方法及结果 | 第51-58页 |
| ·辐照处理 | 第51-52页 |
| ·XPS分析及结果 | 第52-53页 |
| ·紫外—可见吸收光谱分析及结果 | 第53-54页 |
| ·荧光光谱分析及结果 | 第54-56页 |
| ·光学显微镜分析及结果 | 第56-57页 |
| ·AFM分析结果 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |
