| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT应用前景 | 第9-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT国内外研究动态 | 第11-12页 |
| ·本论文的内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理 | 第14-22页 |
| ·AlGaN/GaN异质结极化效应 | 第14-16页 |
| ·自发极化 | 第14-15页 |
| ·压电极化 | 第15-16页 |
| ·二维电子气产生机理 | 第16-17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第17-22页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究 | 第22-34页 |
| ·研究AlGaN/GaN HEMT击穿特性的必要性 | 第22-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT击穿机制研究 | 第24-26页 |
| ·理想器件击穿特性仿真研究 | 第26-30页 |
| ·模拟仿真方案 | 第26-27页 |
| ·仿真结果和数据分析 | 第27-30页 |
| ·陷阱对AlGaN/GaN HEMT击穿特性的影响 | 第30-34页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT场板结构优化设计研究 | 第34-65页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT金属场板结构优化设计研究 | 第35-59页 |
| ·金属场板结构耐压机理 | 第35-39页 |
| ·优化设计的两种准则 | 第39-40页 |
| ·依据第一种准则的优化设计 | 第40-43页 |
| ·依据第二种准则的优化设计 | 第43-59页 |
| ·一种新型AlGaN/GaN HEMT场板结构研究 | 第59-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 在学期间取得的研究成果 | 第73页 |
