首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文--金属-氧化物-半导体(MOS)器件论文

并三苯有机场效应晶体管的研制

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
目录第10-13页
第一章 研究背景与研究进展第13-43页
   ·引言第13-14页
   ·有机电子学概况第14-15页
     ·有机电子学定义第14页
     ·有机电子学范畴第14-15页
   ·有机电子器件研究进展与概况第15-28页
     ·有机电子器件类型第16-17页
     ·有机发光器件第17-22页
     ·有机单分子电子器件第22-25页
     ·有机传感器第25-28页
   ·有机薄膜晶体管研究概况第28-34页
     ·有机薄膜晶体管研究现状第28-31页
     ·有机集成电路技术研究现状第31-34页
     ·有机薄膜晶体管的应用第34页
   ·目前OFET研究面临的问题和研究热点第34-36页
   ·本文主要研究内容第36-37页
 参考文献第37-43页
第二章 OFET器件结构与材料第43-66页
   ·器件结构第43-48页
     ·顶栅极结构第43-44页
     ·底栅极结构第44-45页
     ·顶接触结构第45页
     ·底接触结构第45-46页
     ·其它结构第46-48页
   ·有机半导体材料第48-53页
     ·有机小分子材料第49-50页
     ·有机低聚合物材料第50页
     ·有机高聚合物材料第50-53页
   ·常用并苯类有机半导体第53-58页
     ·并三苯第54-55页
     ·并四苯第55-56页
     ·并五苯第56-58页
   ·电介质材料第58-60页
     ·无机电介质材料第58-59页
     ·有机电介质材料第59-60页
   ·电极材料第60-62页
     ·金属电极材料第60-61页
     ·导电聚合物电极材料第61-62页
   ·衬底材料第62-63页
   ·小结第63页
 参考文献第63-66页
第三章 有机场效应晶体管理论第66-95页
   ·有机半导体载流子传输理论第66-71页
     ·孤子和极化子第66-69页
     ·跳跃传输理论第69-70页
     ·多重俘获与释放传输理论第70-71页
   ·有机半导体导电类型第71-73页
   ·OFET载流子分布第73-79页
     ·载流子分布第73-77页
     ·偏压对载流子分布的影响第77-79页
   ·OFET电流方程第79-84页
     ·OFET电流方程建立第79-82页
     ·饱和区Ⅰ-Ⅴ特性第82-83页
     ·线性区的Ⅰ-Ⅴ特性第83-84页
   ·场效应迁移率第84-87页
     ·场效应迁移率的意义第84-86页
     ·场效应迁移率的估算方法第86-87页
   ·OFET接触电阻效应第87-92页
     ·线性电阻区的接触电阻第88-89页
     ·饱和区的接触电阻第89-91页
     ·接触电阻产生原因分析第91-92页
   ·小结第92-93页
 参考文献第93-95页
第四章 OFET制备方法与工艺第95-112页
   ·传统硅工艺应用第95-97页
     ·真空镀膜第95-96页
     ·光刻工艺第96-97页
     ·电子束刻蚀第97页
   ·溶液工艺第97-99页
     ·液体涂敷工艺第98页
     ·溶液类型及制备第98-99页
   ·LB膜工艺第99-104页
     ·LB膜技术发展第99-100页
     ·LB膜的制备方法第100-101页
     ·LB膜技术应用第101-104页
   ·自组装膜第104-105页
   ·印刷工艺第105-107页
     ·丝网印刷工艺第105-107页
     ·印章印刷工艺第107页
     ·喷墨打印工艺第107页
   ·单晶工艺第107-109页
   ·小结第109-110页
 参考文献第110-112页
第五章 基于并三苯的OFET研究与制作第112-136页
   ·器件制备材料第112-117页
     ·有机半导体材料并三苯第112-113页
     ·绝缘层材料第113-116页
     ·电极材料第116-117页
   ·器件结构第117-118页
   ·器件制备工艺第118-125页
     ·基片的处理和清洗第118-119页
     ·绝缘层的旋涂与固化第119-121页
     ·电极的沉积第121-122页
     ·并三苯的沉积第122-125页
   ·并三苯薄膜特性第125-129页
   ·器件性能测试第129-133页
     ·器件测试原理与测试电路第129-130页
     ·器件性能参数的分析第130-131页
     ·转移特性及输出特性曲线第131-133页
     ·场效应迁移率估算第133页
   ·小结第133-134页
 参考文献第134-136页
第六章 结论与展望第136-140页
   ·结论第136-137页
   ·展望第137-140页
附录第140-141页
致谢第141页

论文共141页,点击 下载论文
上一篇:汉代文吏的身份
下一篇:两汉士人民间慈善救助现象探析