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超大规模集成电路的物理设计研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-11页
第1章 绪论第11-17页
   ·集成电路产业的发展第11-14页
   ·我国微处理器发展现状第14-16页
   ·论文的主要内容和组织结构第16-17页
第2章 深亚微米工艺下的IC设计第17-28页
   ·深亚微米下IC设计面临的挑战第17-22页
     ·互连延迟的增加第17-19页
     ·串扰效应第19-20页
     ·电压降第20-21页
     ·电迁移第21-22页
     ·天线效应第22页
   ·解决深亚微米下各种问题的可行性方案第22-27页
     ·互连延迟的优化措施第23-24页
     ·串扰的主要抑制措施第24-25页
     ·电压降的解决措施第25-26页
     ·电迁移的解决措施第26-27页
     ·天线效应的抑制方案第27页
   ·本章小结第27-28页
第3章 VLSI物理设计流程第28-40页
   ·传统的集成电路设计流程第28-33页
     ·标准单元设计第29-31页
     ·全定制设计第31-32页
     ·标准单元与全定制设计的比较第32-33页
   ·全定制CPU物理设计流程第33-39页
     ·数据通道的全定制设计第35-38页
     ·控制部分的标准单元设计第38-39页
   ·本章小结第39-40页
第4章 全定制物理设计研究实例第40-70页
   ·ALU概述第40页
   ·加法器概述第40-49页
     ·经典加法器算法分析第41-47页
     ·加法器算法总结第47-49页
   ·全定制加法器的优化设计第49-64页
     ·加法器的算法设计第49-52页
     ·全定制加法器的电路设计第52-56页
     ·加法器的全定制版图设计第56-61页
     ·电路结构与电路参数的调整第61页
     ·版图验证第61-63页
     ·加法器小结第63-64页
   ·ALU中其他模块的设计第64-68页
     ·移位器的设计第64-67页
     ·前导0/1计数器第67-68页
     ·逻辑运算单元设计第68页
   ·本章小结第68-70页
第5章 基于标准单元的物理设计研究第70-91页
   ·基于标准单元的物理设计流程研究第70-87页
     ·布图规划第71-73页
     ·顶布局布线第73-75页
     ·布局第75-77页
     ·时钟树综合第77-81页
     ·布线第81-84页
     ·设计验证第84-87页
   ·信号完整性问题的解决措施第87-89页
     ·串扰的修复第87-89页
     ·功耗和IR-Drop分析第89页
     ·天线效应的消除第89页
   ·本章小结第89-91页
第6章 总结与展望第91-93页
致谢第93-94页
参考文献第94-97页
个人简历 在读期间发表的学术论文与研究成果第97页

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