| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·本文的研究意义 | 第8-10页 |
| ·ZAO薄膜的研究意义 | 第8-9页 |
| ·AIN薄膜的研究意义 | 第9-10页 |
| ·ZAO薄膜的概述 | 第10-14页 |
| ·ZAO薄膜的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZAO薄膜的材料特性 | 第11-12页 |
| ·ZAO透明导电薄膜的应用与前景 | 第12-13页 |
| ·ZAO薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
| ·AIN薄膜的概述 | 第14-19页 |
| ·AIN薄膜的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·AIN薄膜的材料特性 | 第15-16页 |
| ·AIN薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·AIN薄膜的制备技术 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 射频磁控溅射法制备ZAO薄膜和ALN薄膜 | 第20-34页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第20-30页 |
| ·射频辉光放电 | 第20-22页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第22-23页 |
| ·溅射特性 | 第23-27页 |
| ·溅射机理 | 第27-28页 |
| ·溅射过程 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第29-30页 |
| ·射频磁控溅射系统及实验操作步骤 | 第30-31页 |
| ·射频磁控溅射系统组成 | 第30-31页 |
| ·磁控溅射方法制备薄膜的实验步骤 | 第31页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第31页 |
| ·射频磁控溅射法制备ZAO薄膜 | 第31-32页 |
| ·射频磁控溅射制备AlN薄膜 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 实验 | 第34-43页 |
| ·实验设备及过程 | 第34-36页 |
| ·薄膜性能和结构测试 | 第36-42页 |
| ·ZAO薄膜紫外-可见光透过率测试及电阻率测试 | 第36-37页 |
| ·AlN薄膜红外吸收光谱测试 | 第37-38页 |
| ·ZAO薄膜原子力显微测试 | 第38-39页 |
| ·X射线衍射谱分析 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 沉积参数对ZAO薄膜和ALN薄膜性能的影响 | 第43-58页 |
| ·薄膜生长的基础理论 | 第43-46页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜结构的影响 | 第46-48页 |
| ·Al含量对ZAO薄膜性能的影响 | 第48-51页 |
| ·ZAO薄膜的光学性能的测试 | 第51-53页 |
| ·AlN薄膜的红外光谱图 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对AlN薄膜结构的影响 | 第54-55页 |
| ·氮分压对AlN薄膜性能的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 在研期间的研究成果 | 第64页 |
| 在研期间的获奖情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |