| 第一章 绪言 | 第1-23页 |
| ·碳纳米薄膜材料的研究背景 | 第9-10页 |
| ·碳纳米材料的分类 | 第10-16页 |
| ·巴基球 | 第10-11页 |
| ·碳纳米管 | 第11-14页 |
| ·碳洋葱 | 第14页 |
| ·纳米金刚石晶体 | 第14-16页 |
| ·碳纳米线 | 第16页 |
| ·碳纳米材料的制备方法 | 第16-20页 |
| ·电弧放电法 | 第16-17页 |
| ·激光烧蚀法 | 第17页 |
| ·纳米孔模板法 | 第17-18页 |
| ·碳氢化合物催化裂解法 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要内容 | 第20页 |
| 本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术及薄膜性能检测方法 | 第23-39页 |
| ·PECVD的基本原理 | 第23-29页 |
| ·等离子体的基本概念 | 第23-27页 |
| ·等离子体的定义 | 第23-24页 |
| ·等离子体的产生 | 第24-25页 |
| ·电子温度和离子温度 | 第25-26页 |
| ·等离子体的形成以及气体分子在其中的离解过程 | 第26-27页 |
| ·等离子体在化学气相沉积中的作用 | 第27-28页 |
| ·等离子体增强CVD设备简介 | 第28-29页 |
| ·PECVD沉积碳纳米薄膜的生长机制 | 第29-33页 |
| ·CH_4等离子体中的活性基团 | 第29-30页 |
| ·碳纳米薄膜的生长机制 | 第30-32页 |
| ·PECVD沉积薄膜的工艺参数 | 第32-33页 |
| ·薄膜性能的检测方法 | 第33-38页 |
| ·拉曼散射 | 第33-35页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35-38页 |
| ·扫描电子显微镜的结构 | 第35-36页 |
| ·扫描电子显徽镜像形成衬度原理 | 第36-37页 |
| ·X射线能谱仪 | 第37-38页 |
| 本章小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 以H_2作稀释气体制备碳薄膜的研究 | 第39-50页 |
| ·射频功率对碳薄膜生长的影响 | 第40-43页 |
| ·样品制备 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-43页 |
| ·氢气稀释比例对碳薄膜生长的影响 | 第43-46页 |
| ·样品制备 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-46页 |
| ·催化剂对薄膜的影响 | 第46-48页 |
| 本章小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 以Ar作稀释气体制备碳薄膜的研究 | 第50-57页 |
| ·Ar稀释比对碳薄膜生长的影响 | 第50-53页 |
| ·样品制备 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·催化剂对薄膜的影响 | 第53-56页 |
| 本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 Ar和H_2混合气体作稀释气体制备碳薄膜的研究 | 第57-63页 |
| ·样品制备 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-59页 |
| ·催化剂对薄膜的影响 | 第59-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |