Al、N共掺杂制备p-ZnO薄膜及性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-31页 |
| ·ZnO的性质 | 第9-11页 |
| ·ZnO基本性质 | 第9-10页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第10页 |
| ·ZnO的压电性质 | 第10页 |
| ·ZnO的气敏性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO的压敏性质 | 第11页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第11-16页 |
| ·n型ZnO | 第11-12页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第12-16页 |
| ·ZnO薄膜的制备技术 | 第16-21页 |
| ·喷雾热分解 | 第17页 |
| ·溅射法 | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第18-19页 |
| ·分子束外延 | 第19-20页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·ZnO材料的应用 | 第21-25页 |
| ·紫外光探测器 | 第22页 |
| ·太阳能电极 | 第22页 |
| ·气敏元件 | 第22-23页 |
| ·压敏元件 | 第23页 |
| ·发光器件 | 第23页 |
| ·制作表面声波器件 | 第23-24页 |
| ·可与GaN互作缓冲层 | 第24页 |
| ·用于光电器件的单片集成 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第三章 直流反应磁控溅射制备ZnO | 第31-39页 |
| ·溅射镀膜 | 第31-33页 |
| ·辉光放电原理 | 第31-33页 |
| ·射频溅射 | 第33页 |
| ·磁控溅射 | 第33页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第33-36页 |
| ·S枪磁控溅射 | 第33-35页 |
| ·S枪直流反应磁控溅射系统 | 第35-36页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第36-39页 |
| ·反应原理 | 第36-37页 |
| ·衬底清洗 | 第37页 |
| ·ZnO薄膜的生长过程 | 第37-39页 |
| 第四章 Al、N共掺杂制备ZnO薄膜及性能研究 | 第39-62页 |
| ·施主—受主共掺杂技术 | 第39-40页 |
| ·Al、N共掺杂制备p—ZnO机理探讨 | 第40-43页 |
| ·实验过程和结果 | 第40-41页 |
| ·Al、N共掺杂的掺杂机理 | 第41-43页 |
| ·衬底温度对p—ZnO的性能影响 | 第43-56页 |
| ·实验过程 | 第43页 |
| ·实验结果分析 | 第43-56页 |
| ·氧分压对p—ZnO的性能影响 | 第56-60页 |
| ·实验过程 | 第56页 |
| ·实验结果分析 | 第56-60页 |
| ·p—ZnO薄膜导电类型的稳定性 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第五章 退火对p型ZnO的影响 | 第62-67页 |
| ·退火过程 | 第62页 |
| ·实验结果分析 | 第62-66页 |
| ·晶体结构 | 第62-65页 |
| ·电学性能 | 第65-66页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| 第六章 总结和建议 | 第67-68页 |
| 第七章 致谢 | 第68-69页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第69页 |
