| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·绪言 | 第8-10页 |
| ·一维纳米材料制备技术的最新进展及发展趋势 | 第10-12页 |
| ·热蒸发法的机理 | 第11-12页 |
| ·影响制备一维纳米材料的因素 | 第12页 |
| ·一维纳米半导体材料和金属接触 | 第12-15页 |
| ·肖特基势垒 | 第13-14页 |
| ·欧姆接触 | 第14-15页 |
| ·本论文研究的意义、思路及主要内容 | 第15-18页 |
| ·论文研究的意义和思路 | 第15-16页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第二章 三氧化钨纳米线的制备与结构表征 | 第19-34页 |
| ·背景 | 第19-22页 |
| ·气-固(V-S)相合成法的研究进展 | 第19-22页 |
| ·实验部分 | 第22-32页 |
| ·实验试剂 | 第22页 |
| ·测试仪器 | 第22页 |
| ·试验方法 | 第22-23页 |
| ·三氧化钨纳米线制备条件的摸索 | 第23-27页 |
| ·六方晶相的三氧化钨纳米线结构的表征 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 半导体纳米线的电场组装和电子输运性质的研究 | 第34-52页 |
| ·单根W03纳米线的组装 | 第34-40页 |
| ·背景 | 第34-35页 |
| ·组装机理 | 第35-36页 |
| ·实验方法和过程 | 第36-37页 |
| ·结果分析 | 第37-40页 |
| ·WO_3半导体纳米线电子输运性质的研究 | 第40-48页 |
| ·背景 | 第40-42页 |
| ·研究基础 | 第40-41页 |
| ·半导体和金属接触 | 第41-42页 |
| ·单根WO_3纳米线的光电输运性质研究 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 WO_3/TiO_2核壳纳米线制备的摸索 | 第52-56页 |
| ·WO_3/TiO_2核壳纳米线制备的摸索 | 第52-56页 |
| ·背景介绍 | 第52页 |
| ·试验部分 | 第52-53页 |
| ·样品的表征与分析 | 第53-56页 |
| 硕士期间发表和已完成的工作 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |