首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

一维ZnO、SnO2纳米结构肖特基势垒的光电输运性质研究

中文摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-28页
   ·一维纳米材料的制备与电学测量第10-16页
     ·纳米材料概论第10-12页
     ·一维纳米材料的制备方法简介第12-13页
     ·一维纳米材料的电学测量方法第13-16页
   ·基于一维纳米材料的光电子器件研究第16-18页
     ·一维发光二极管第16-17页
     ·一维光检测器件第17页
     ·一维场效应晶体管第17-18页
   ·基于一维纳米材料肖特基势垒的光电子器件研究第18-21页
     ·一维肖特基二极管第18-20页
     ·一维肖特基场效应晶体管第20-21页
   ·本论文研究的意义、思路及主要内容第21-25页
     ·选题意义及思路第22-23页
     ·主要内容第23-25页
 参考文献第25-28页
第二章 ZNO 纳米线的合成、结构表征及电场组装第28-37页
   ·引言第28-29页
   ·ZNO 纳米线的制备及表征第29-32页
     ·ZnO 纳米线的制备第29-30页
     ·ZnO 纳米线的表征第30-32页
   ·ZNO 纳米线的电场组装第32-34页
     ·组装机理第32页
     ·组装过程第32-33页
     ·结果分析第33-34页
   ·本章小结第34-35页
 参考文献第35-37页
第三章 ZNO 纳米线肖特基势垒的光电输运特性研究第37-54页
   ·引言第37-38页
   ·肖特基势垒的电流输运理论第38-43页
   ·ZNO 纳米线的光电性质测量第43-51页
     ·ZnO 纳米线的光电性质第43-46页
     ·势垒结构的确定第46-51页
   ·结论第51-52页
 参考文献第52-54页
第四章 一维SnO_2纳米结构肖特基势垒的电学特性第54-68页
   ·前言第54-57页
     ·SnO_2 性质综述第54-55页
     ·不对称肖特基结第55-57页
   ·SnO_2 纳米材料的制备第57-58页
   ·SnO_2 纳米材料的表征第58-60页
   ·镜像力引起势垒高度降低第60-62页
   ·SnO_2 纳米材料的电学性质第62-65页
     ·SnO_2 纳米带纵向电学性质的测量第62-63页
     ·SnO_2 纳米线横向电学性质的测量第63-65页
   ·结论第65-66页
 参考文献第66-68页
硕士期间发表和已完成工作第68-69页
致谢第69页

论文共69页,点击 下载论文
上一篇:核壳纳米晶ZnSe@CdS(e)和碳纳米管/ZnSe@CdSe纳米晶异质结的制备及其光学性质研究
下一篇:单晶六方晶相的三氧化钨纳米线的制备及电输运性质的研究