| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·金属纳米晶存储器结构及工作原理 | 第8-10页 |
| ·金属纳米晶的制备方法 | 第10-12页 |
| ·淀积后退火法 | 第10-11页 |
| ·淀积自组装法 | 第11页 |
| ·混合淀积法 | 第11-12页 |
| ·离子注入法 | 第12页 |
| ·金属纳米晶存储器性能改进方案 | 第12-13页 |
| ·本章总结 | 第13-15页 |
| 第二章 溅射淀积后退火法制备钌纳米晶 | 第15-27页 |
| ·研究意义 | 第15页 |
| ·实验方案 | 第15-16页 |
| ·实验结果及讨论 | 第16-26页 |
| ·退火条件对钌纳米晶生长的影响 | 第16-23页 |
| ·钌纳米晶的化学成分分析 | 第23-26页 |
| ·本章总结 | 第26-27页 |
| 第三章 原子层淀积纳米晶研究 | 第27-38页 |
| ·研究意义 | 第27页 |
| ·实验方案 | 第27页 |
| ·实验结果及讨论 | 第27-37页 |
| ·钌纳米晶在氧化硅上的ALD生长研究 | 第28-29页 |
| ·钌纳米晶在氧化铝上的ALD生长研究 | 第29-33页 |
| ·氧化铝上淀积钌纳米晶的化学成分分析 | 第33-35页 |
| ·氧化铝薄膜表面生长的钌纳米晶的热稳定性研究 | 第35-37页 |
| ·本章总结 | 第37-38页 |
| 第四章 钌金属纳米晶MOS存储电容的制备及其电性能表征 | 第38-44页 |
| ·钌纳米晶和高介电常数介质在存储器中的应用 | 第38页 |
| ·实验方案 | 第38-39页 |
| ·实验结果与分析 | 第39-43页 |
| ·钌纳米晶存储电容结构 | 第39页 |
| ·电荷存储效应研究 | 第39-42页 |
| ·存储电容中的计算分析 | 第42-43页 |
| ·本章总结 | 第43-44页 |
| 第五章 研究总结及展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |