高密度非挥发存储体系的建模与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 导论 | 第6-21页 |
| ·当代非挥发存储体系 | 第6-12页 |
| ·EPROM | 第6-7页 |
| ·EEPROM | 第7页 |
| ·Flash存储器 | 第7-10页 |
| ·磁存储器 | 第10-11页 |
| ·铁电存储器 | 第11-12页 |
| ·非挥发存储体系的新发展 | 第12-13页 |
| ·非挥发存储体系的新发展 | 第13-20页 |
| ·相变存储器(PRAM) | 第13-18页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第18-20页 |
| ·论文的组织结构 | 第20-21页 |
| 第2章 多值相变存储单元的HSPICE模型 | 第21-30页 |
| ·相变材料的基本性质 | 第21-22页 |
| ·基本相变存储单元 | 第22-23页 |
| ·高密度解决方案——多值存储 | 第23页 |
| ·多值存储的可行性 | 第23-25页 |
| ·多值相变存储单元HSPICE模型的基本结构 | 第25-28页 |
| ·多值相变存储单元HSPICE模型的仿真结果 | 第28-30页 |
| 第3章 相变存储器的数据操作可靠性设计 | 第30-50页 |
| ·相变存储器的数据操作可靠性 | 第30-31页 |
| ·现有的解决方案 | 第31-32页 |
| ·本论文的解决方案 | 第32-50页 |
| ·对称位线补偿方案 | 第33-38页 |
| ·分段对称位线补偿方案 | 第38-40页 |
| ·步进字线电压补偿方案 | 第40-47页 |
| ·反馈模式字线电压补偿方案 | 第47-50页 |
| 第4章 阻变存储单元的HSPICE模型 | 第50-57页 |
| ·阻变材料的基本性质 | 第50-51页 |
| ·基本阻变存储单元 | 第51-52页 |
| ·阻变存储单元HSPICE模型的基本结构 | 第52-55页 |
| ·阻变存储单元HSPICE模型的仿真结果 | 第55-57页 |
| 第5章 选通管复用的阻变存储阵列设计 | 第57-73页 |
| ·传统存储单元阵列结构 | 第57-60页 |
| ·1T1R存储阵列结构 | 第57-58页 |
| ·1D1R存储阵列结构 | 第58-59页 |
| ·交叉点(Cross-Point)存储阵列结构 | 第59-60页 |
| ·选通管复用阻变存储阵列的基本结构 | 第60-62页 |
| ·选通管复用阻变存储阵列的高密度设计 | 第62-73页 |
| ·选通管复用阻变存储阵列中的电流串扰 | 第62-64页 |
| ·选通管复用阻变存储阵列的写操作建模 | 第64-66页 |
| ·选通管复用阻变存储阵列的写操作数据分析 | 第66-73页 |
| 第6章 总结与展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录 | 第77-90页 |
| 多值相变存储单元的HSPICE模型网表 | 第77-85页 |
| 阻变存储单元的HSPICE模型网表 | 第85-90页 |
| 论文及专利发表情况 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
