| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·悬臂梁的研究及发展现状 | 第13-21页 |
| ·悬臂梁在传感器件中的应用研究及发展现状 | 第13-15页 |
| ·悬臂梁在微执行器件中的研究 | 第15-21页 |
| ·压电薄膜的概述 | 第21-22页 |
| ·PZT压电厚膜制备的研究进展 | 第22-25页 |
| ·论文的意义及主要工作 | 第25-27页 |
| 第2章 Sol-Gel法制备PZT纳米粉及PZT薄膜 | 第27-45页 |
| ·PZT纳米粉的制备技术 | 第27-29页 |
| ·Sol-Gel技术 | 第29-30页 |
| ·PZT纳米粉的制备 | 第30-36页 |
| ·原料的选取 | 第30页 |
| ·PZT粉的制备工艺及主要技术参数 | 第30-33页 |
| ·PZT粉体的XRD测试分析 | 第33-35页 |
| ·PZT粉体的SEM扫描电镜 | 第35-36页 |
| ·PZT薄膜的制备 | 第36-43页 |
| ·稳定的PZT溶胶的制备 | 第37-41页 |
| ·PZT薄膜的制备 | 第41页 |
| ·PZT薄膜的XRD测试分析 | 第41-43页 |
| ·PZT薄膜的SEM表面形貌分析 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 多层PZT厚膜的制备 | 第45-70页 |
| ·多层PZT厚膜的结构设计 | 第45-46页 |
| ·多层PZT厚膜制备的工艺研究 | 第46-53页 |
| ·衬底、底电极、过渡层的选择与制备 | 第46-49页 |
| ·PZT厚膜制备 | 第49-53页 |
| ·PZT厚膜的测试分析 | 第53-68页 |
| ·PZT厚膜XRD分析 | 第53-54页 |
| ·PZT厚膜的SEM表面形貌分析 | 第54-56页 |
| ·电滞回线测试分析 | 第56-58页 |
| ·介电常数分析 | 第58-61页 |
| ·漏电流特性分析 | 第61-62页 |
| ·电容电压特性 | 第62-63页 |
| ·压电常数 | 第63-67页 |
| ·体密度 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第4章 压电悬臂梁的传感原理与优化设计 | 第70-86页 |
| ·压电效应 | 第70-73页 |
| ·正压电效应 | 第71-72页 |
| ·逆压电效应 | 第72-73页 |
| ·压电方程 | 第73页 |
| ·硅基压电悬臂梁的弯曲位移模型 | 第73-76页 |
| ·计算机辅助设计 | 第76-85页 |
| ·IntelliSuite结构体系 | 第76-77页 |
| ·建构3D模型 | 第77-80页 |
| ·IntelliSuiteTM’s Electromechanical Analysis模块的分析 | 第80-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第5章 硅基压电悬臂梁的制备及性能测试 | 第86-115页 |
| ·悬臂梁制备的关键工艺 | 第86-97页 |
| ·掩膜层的制备 | 第86-87页 |
| ·光刻工艺 | 第87-90页 |
| ·光刻掩膜版设计及制备 | 第90-94页 |
| ·扩散工艺 | 第94-95页 |
| ·腐蚀工艺技术 | 第95页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第95-97页 |
| ·硅基PZT压电悬臂梁的制备 | 第97-110页 |
| ·PZT悬臂梁制作工艺流程模拟 | 第98-100页 |
| ·PZT压电悬臂梁制作工艺过程 | 第100-110页 |
| ·PZT压电悬臂梁的频率与弯曲位移特性测试 | 第110-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 结论 | 第115-118页 |
| 参考文献 | 第118-130页 |
| 读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132页 |