高频锁相环中单粒子效应失效机理与加固技术研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| ·课题研究背景 | 第13-14页 |
| ·课题研究现状 | 第14-17页 |
| ·国外研究现状 | 第15-17页 |
| ·国内研究概况 | 第17页 |
| ·课题研究内容 | 第17-18页 |
| ·论文组织结构 | 第18-19页 |
| 第二章 单粒子效应概述 | 第19-40页 |
| ·辐射环境 | 第19-22页 |
| ·空间辐射环境 | 第19-20页 |
| ·大气辐射环境 | 第20-21页 |
| ·地面辐射环境 | 第21页 |
| ·其他辐射环境 | 第21-22页 |
| ·单粒子效应对集成电路的影响 | 第22-23页 |
| ·单粒子效应的分类 | 第22-23页 |
| ·SET/SEU对集成电路的影响 | 第23页 |
| ·SEL对集成电路的影响 | 第23页 |
| ·单粒子效应的加固技术 | 第23-34页 |
| ·体系结构级加固技术 | 第24页 |
| ·电路级加固技术 | 第24-26页 |
| ·版图级加固策略 | 第26-28页 |
| ·锁相环加固技术 | 第28-34页 |
| ·单粒子效应模拟方法 | 第34-39页 |
| ·器件级模拟 | 第35-37页 |
| ·电路级模拟 | 第37-38页 |
| ·混合模拟 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 单粒子闩锁效应 | 第40-51页 |
| ·CMOS器件单粒子闩锁 | 第40-41页 |
| ·器件模型设计 | 第41页 |
| ·单粒子闩锁效应研究 | 第41-49页 |
| ·CMOS反相器闩锁敏感区域 | 第43-44页 |
| ·温度对单粒子闩锁的影响 | 第44-45页 |
| ·阱/衬底接触位置对单粒子闩锁的影响 | 第45-46页 |
| ·NMOS与PMOS间距对单粒子闩锁的影响 | 第46-47页 |
| ·粒子入射角度对闩锁的影响 | 第47-49页 |
| ·工艺参数—STI depth对单粒子闩锁的影响 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究 | 第51-61页 |
| ·锁相环简介 | 第51-53页 |
| ·压控振荡器的SET响应研究 | 第53-60页 |
| ·压控振荡器电路设计 | 第54页 |
| ·SET混合模拟环境设置 | 第54-56页 |
| ·模拟结果分析 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 新型的抗翻转加固鉴频鉴相器 | 第61-67页 |
| ·鉴频鉴相器中的单粒子效应 | 第61-62页 |
| ·SEU/SET加固鉴频鉴相器设计 | 第62-64页 |
| ·PFD验证分析 | 第64-66页 |
| ·功能验证 | 第64页 |
| ·电学性能分析 | 第64-65页 |
| ·抗辐照性能验证 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第76页 |
