多晶硅纳米薄膜压力传感器工艺研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·多晶硅压阻理论研究概况 | 第11-12页 |
| ·MEMS技术 | 第12页 |
| ·研究目的和意义 | 第12-13页 |
| ·论文的主要工作内容 | 第13-15页 |
| 第二章 多晶硅纳米膜压力传感器原理 | 第15-25页 |
| ·多晶硅压阻特性 | 第15-19页 |
| ·压阻隧道模型 | 第15-16页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响 | 第16-18页 |
| ·淀积温度对多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响 | 第18-19页 |
| ·膜厚对多晶硅纳米薄膜的压阻特性的影响 | 第19页 |
| ·压力传感器原理 | 第19-24页 |
| ·实体建模 | 第20页 |
| ·硅膜电阻及电桥电路 | 第20-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 传感器工艺 | 第25-34页 |
| ·工艺设计 | 第25-26页 |
| ·表面加工 | 第26-31页 |
| ·LPCVD技术 | 第27页 |
| ·PECVD技术 | 第27-28页 |
| ·光刻工艺 | 第28-31页 |
| ·体加工 | 第31-32页 |
| ·基体键合 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 关键工艺研究 | 第34-65页 |
| ·多晶硅纳米薄膜技术 | 第34-40页 |
| ·LPCVD生长多晶硅 | 第34-35页 |
| ·不同厚度的多晶硅薄膜 | 第35-36页 |
| ·不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜 | 第36-37页 |
| ·不同淀积温度的多晶硅纳米薄膜 | 第37-38页 |
| ·最佳工艺条件提取 | 第38-40页 |
| ·欧姆接触 | 第40-41页 |
| ·钝化工艺研究 | 第41-53页 |
| ·模型建立 | 第41-43页 |
| ·模拟仿真 | 第43-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·体加工 | 第53-63页 |
| ·掩蔽膜工艺设计 | 第53-58页 |
| ·硅杯腐蚀 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 测试分析 | 第65-74页 |
| ·测试方法 | 第65-66页 |
| ·测试结果 | 第66-69页 |
| ·分析 | 第69-73页 |
| ·灵敏度 | 第69页 |
| ·精度 | 第69-70页 |
| ·重复性 | 第70页 |
| ·迟滞 | 第70页 |
| ·线性度 | 第70-71页 |
| ·零点输出和零位温度系数 | 第71-72页 |
| ·满量程输出和灵敏度温度系数 | 第72页 |
| ·分析结果 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 在学研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
