| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·压力传感器研究的意义 | 第10-12页 |
| ·压力传感器研究现状及展望 | 第12-16页 |
| ·SOS结构压力传感器 | 第13页 |
| ·SOI(Silicon-On-Insulater)结构压力传感器 | 第13页 |
| ·SiC薄膜压力传感器 | 第13-14页 |
| ·多晶硅压力传感器 | 第14-16页 |
| 第二章 多晶硅纳米薄膜压阻效应 | 第16-25页 |
| ·半导体的压阻效应 | 第16-19页 |
| ·压阻效应 | 第16-18页 |
| ·压阻系数 | 第18-19页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压阻特性 | 第19-25页 |
| ·现有压阻理论的局限性 | 第20-21页 |
| ·多晶硅的隧道压阻效应 | 第21页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第21-23页 |
| ·不同温度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第23-25页 |
| 第三章 MEMS力敏结构设计及工艺流程 | 第25-29页 |
| ·MEMS力敏结构确定 | 第25-27页 |
| ·第一种力敏结构 | 第25-26页 |
| ·第二种力敏结构 | 第26页 |
| ·第三种力敏结构 | 第26-27页 |
| ·MEMS力敏结构工艺流程 | 第27-29页 |
| 第四章 MEMS力敏结构芯片设计及加工 | 第29-53页 |
| ·MEMS力敏结构 | 第29-30页 |
| ·压阻全桥原理及压敏电阻的设计 | 第30-34页 |
| ·压阻全桥原理 | 第30-32页 |
| ·力敏电阻设计 | 第32-34页 |
| ·弹性膜片的应力分析 | 第34-36页 |
| ·弹性膜片形状选择 | 第34-35页 |
| ·矩形弹性膜片应力分布 | 第35-36页 |
| ·弹性膜片设计 | 第36-47页 |
| ·弹性膜膜厚对应力分布影响 | 第37-39页 |
| ·弹性膜膜宽的设计 | 第39-43页 |
| ·弹性膜膜厚的设计 | 第43-47页 |
| ·牺牲层结构设计 | 第47-50页 |
| ·牺牲层结构制备 | 第47-48页 |
| ·牺牲层厚度设计 | 第48-50页 |
| ·电阻位置设计 | 第50-53页 |
| 第五章 MEMS力敏结构设计参数讨论 | 第53-58页 |
| ·灵敏度 | 第53-54页 |
| ·零点温漂系数 | 第54-55页 |
| ·灵敏度温漂系数 | 第55-58页 |
| 第六章 测试结果 | 第58-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录A MEMS力敏结构版图 | 第71-72页 |
| 在学研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |