首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--电子元件、组件论文--一般性问题论文--制造工艺及设备论文

大口径衍射光学元件的离子束刻蚀及相关问题的研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第1章 绪论第12-20页
   ·引言第12-13页
   ·大口径衍射光学元件的国内外研究现状第13-16页
     ·衍射光学元件制作的工艺流程第13-14页
     ·衍射光学元件的发展及应用第14-15页
     ·大口径衍射光学元件的应用与国内外研究现状第15-16页
   ·离子束刻蚀技术的国内外研究现状第16-18页
     ·离子束刻蚀装置的发展及应用第16-17页
     ·离子束技术工艺性能的提高第17-18页
   ·选题意义和博士论文构成第18-20页
第二章 大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀技术的简介第20-40页
   ·引言第20页
   ·实验装置第20-29页
     ·KZ-400 离子源第21-24页
     ·KZ-400 束流密度的空间分布第24-26页
     ·KZ-400 工作气体对束流密度的影响第26-29页
   ·离子束刻蚀工艺基础第29-34页
     ·离子束刻蚀的关键参数第30-31页
     ·离子束刻蚀中遇到的问题及其解决方法第31-34页
   ·大口径脉冲压缩光栅衍射效率的测量第34-39页
     ·大口径脉冲压缩光栅衍射效率测量光路设计第34-36页
     ·大口径脉冲压缩光栅衍射效率测量程序介绍第36-39页
   ·本章小节第39-40页
第三章 大口径衍射光学元件刻蚀均匀性的提高第40-58页
   ·引言第40页
   ·提高纵向束流密度分布均匀性第40-55页
     ·束阑形状对束流密度分布的影响第41-43页
     ·修正束阑形状提高纵向束流密度分布均匀性第43-49页
     ·纵向束流密度均匀性的进一步提高第49-52页
     ·组合石墨条束阑修正束流密度分布第52-55页
   ·移动样品刻蚀位置提高刻蚀均匀性第55-57页
     ·移动样品提高刻蚀深度均匀性原理分析第55页
     ·离子束刻蚀均匀性的提高第55-57页
   ·本章小节第57-58页
第四章 多层介质膜光栅的离子束刻蚀第58-83页
   ·引言第58-59页
   ·多层介质膜光栅的离子束刻蚀第59-74页
     ·多层介质膜光栅图形转移情况的理论研究第59-62页
     ·多层介质膜光栅图形转移情况的实验研究第62-72页
     ·其他基底样品离子束刻蚀过程中图形转移情况第72-74页
   ·光栅光刻胶掩模的判断与修正第74-79页
     ·光刻胶掩模到底情况的定性判断与修正第74-76页
     ·光刻胶掩模高度的测量和占空比的定性判断第76-77页
     ·光刻胶掩模均匀性判断和修正第77-79页
   ·离子束刻蚀提高光栅衍射效率均匀性第79-81页
   ·本章小节第81-83页
第五章 论文的工作总结与展望第83-85页
   ·论文的创新性工作第83-84页
   ·工作的展望第84-85页
参考文献第85-93页
致谢第93-95页
在读期间发表的学术论文第95-96页

论文共96页,点击 下载论文
上一篇:Ruvbl2转录抑制Arf与Hnrnpu调控细胞凋亡和周期的研究
下一篇:地球电磁三维数值模拟的多重网格方法及其应用研究