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多比特量子随机行走与可扩展量子比特控制

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 简介第11-19页
    1.1 量子计算第11-16页
        1.1.1 量子信息和量子门操作第11-14页
        1.1.2 量子计算的应用第14-16页
    1.2 量子比特的实现方案第16-17页
        1.2.1 离子阱第16页
        1.2.2 半导体量子比特第16-17页
        1.2.3 超导量子比特第17页
    1.3 总结与论文结构第17-19页
第2章 x-mon超导量子比特第19-37页
    2.1 超导线路的量子化第19-22页
        2.1.1 简谐振子第19-21页
        2.1.2 非简谐电路第21-22页
    2.2 超导量子比特第22-25页
        2.2.1 电荷量子比特第22-23页
        2.2.2 磁通量子比特第23-24页
        2.2.3 Fluxonium第24页
        2.2.4 Transmon量子比特和Csh flux qubit第24-25页
        2.2.5 总结第25页
    2.3 X-mon量子比特第25-37页
        2.3.1 X-mon量子比特的能级第25-27页
        2.3.2 X-mon量子比特的XY驱动第27-29页
        2.3.3 X-mon量子比特的能级调节第29-30页
        2.3.4 Dispersive读取第30-34页
        2.3.5 两比特耦合第34-35页
        2.3.6 总结第35-37页
第3章 样品制备第37-44页
    3.1 衬底预处理和铝膜沉积第37-38页
    3.2 金Mark第38页
    3.3 刻蚀第38-39页
    3.4 制备crossover第39-40页
    3.5 制备约瑟夫森结第40页
    3.6 检测bonding样品第40-42页
    3.7 总结第42-44页
第4章 12-qubit超导处理器中强关联量子随机行走第44-77页
    4.1 12-qubit超导量子处理器第44-51页
        4.1.1 样品介绍第44-47页
        4.1.2 近邻耦合x-mon量子比特的Bose-Hubbard模型第47-51页
    4.2 测量装置介绍第51-53页
    4.3 样品性能标定第53-65页
        4.3.1 能谱测量第53-54页
        4.3.2 相干性能测量第54-56页
        4.3.3 非简谐测量第56-59页
        4.3.4 Dispersive shift测量第59-61页
        4.3.5 x-mon量子比特耦合强度测量第61-63页
        4.3.6 样品性能参数总结第63-65页
    4.4 实验内容第65-76页
        4.4.1 idle点和工作点的选择第66页
        4.4.2 系统矫正与优化第66-72页
        4.4.3 频率对齐第72-73页
        4.4.4 量子随机行走实验结果和理论模拟第73-76页
    4.5 总结与展望第76-77页
第5章 基于Rf-Squid的直流偏置器第77-101页
    5.1 Rf-Squid第77-79页
    5.2 Dc-Squid第79-81页
    5.3 直流偏置器设计第81-83页
        5.3.1 工作点的个数和偏置电流精度第81页
        5.3.2 各工作点的plasma频率第81-82页
        5.3.3 持续电流的寿命第82-83页
        5.3.4 器件性能对参数的敏感性第83页
    5.4 版图设计和线路仿真结果第83-87页
    5.5 高临界电流约瑟夫森结制备第87-89页
        5.5.1 大面积约瑟夫森结第87-88页
        5.5.2 高临界电流密度约瑟夫森结第88-89页
    5.6 约瑟夫森结的室温电阻测量第89-94页
        5.6.1 四端法测电阻原理第89-91页
        5.6.2 测量电路的搭建第91页
        5.6.3 稳定性和可靠性测试第91-94页
    5.7 样品制备第94-96页
    5.8 测量结果第96-97页
        5.8.1 高临界电流测试第96页
        5.8.2 能谱稳定性测量第96-97页
    5.9 总结和展望第97-101页
参考文献第101-108页
致谢第108-110页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第110页

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