| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的重要性 | 第11-12页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的基本性质和常用衬底 | 第12-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物的电学特性 | 第15-17页 |
| ·外延生长技术 | 第17-19页 |
| ·金属有机物化学气相淀积(MOCVD) | 第18-19页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第19页 |
| ·Ⅲ族氮化物器件 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 GaN的MOCVD生长系统及材料表征技术 | 第21-35页 |
| ·MOCVD系统 | 第22-26页 |
| ·材料表征技术 | 第26-33页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第26-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第30-31页 |
| ·电容-电压测试(C-V) | 第31-32页 |
| ·范德堡法Hall测试 | 第32-33页 |
| ·二次离子质谱 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 GaN单晶薄膜材料的MOCVD生长研究 | 第35-53页 |
| ·薄膜生长的基本原理 | 第35-36页 |
| ·传统GaN的外延生长工艺 | 第36-39页 |
| ·低温GaN成核层形貌对GaN外延层的影响研究 | 第39-43页 |
| ·高温GaN外延层生长工艺优化研究 | 第43-47页 |
| ·GaN的Ⅴ/Ⅲ比对GaN的影响 | 第43-44页 |
| ·GaN的生长温度对表面形貌以及生长速率的影响 | 第44-45页 |
| ·GaN的厚度对表面形貌和晶体质量的影响 | 第45-47页 |
| ·衬底斜切角度对GaN与AlGaN/GaN异质结的影响 | 第47-49页 |
| ·斜切衬底诱导GaN外延薄膜位错湮灭的物理机制 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 非故意掺杂GaN以及Fe掺杂GaN生长研究 | 第53-67页 |
| ·GaN中的背景载流子来源 | 第53-54页 |
| ·高阻GaN的生长方法 | 第54-55页 |
| ·杂质原子补偿 | 第54页 |
| ·位错补偿 | 第54-55页 |
| ·背景载流子浓度的测试方法和成核层对GaN电阻率的影响 | 第55-57页 |
| ·C-V测量背景载流子浓度的方法 | 第55-56页 |
| ·台面隔离方法 | 第56-57页 |
| ·采用低温成核层的AlGaN/GaN异质结背景载流子产生机理分析 | 第57-61页 |
| ·Fe掺杂GaN材料的生长 | 第61-64页 |
| ·Fe掺杂GaN材料浓度计算 | 第61页 |
| ·Fe掺杂GaN材料的生长 | 第61-64页 |
| ·本章小节 | 第64-67页 |
| 第五章 基于高温AlN成核层的AlGaN/GaN异质结材料生长和表征 | 第67-87页 |
| ·AlGaN/GaN异质结中的散射机制 | 第67-70页 |
| ·基于HT-AlN模板的AlGaN/GaN异质结材料生长 | 第70-78页 |
| ·AlN的MOCVD外延生长 | 第71-72页 |
| ·高温AlN厚度对GaN的影响 | 第72-74页 |
| ·高温AlN的Ⅴ/Ⅲ比对GaN晶体质量的影响 | 第74-75页 |
| ·高温AlN的生长温度对GaN以及AlGaN/GaN异质结的影响 | 第75-78页 |
| ·间歇供氨气生长高温AlN成核层 | 第78-81页 |
| ·采用HT-AlN为成核层的GaN生长机理研究 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 薄势垒层AlGaN/GaN以及双异质结HEMT材料生长研究 | 第87-107页 |
| ·薄势垒层AlGaN/GaN异质结构生长研究 | 第87-92页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结构材料的生长 | 第92-95页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双异质结构材料的设计和生长 | 第95-102页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构材料的设计和生长 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第七章 结束语 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 论文期间研究成果 | 第119-120页 |
