| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 自旋电子学概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 自旋电子学概念 | 第11页 |
| 1.2.2 自旋电子学的发展和应用 | 第11-14页 |
| 1.3 稀磁半导体概述 | 第14-18页 |
| 1.3.1 稀磁半导体的特性及发展历程 | 第14-15页 |
| 1.3.1.1 稀磁半导体的特性 | 第14页 |
| 1.3.1.2 稀磁半导体的发展历程 | 第14-15页 |
| 1.3.2 稀磁半导体的磁性起源 | 第15-17页 |
| 1.3.2.1 RKKY理论 | 第15页 |
| 1.3.2.2 双交换理论 | 第15-16页 |
| 1.3.2.3 平均场理论 | 第16页 |
| 1.3.2.4 束缚磁极化子理论 | 第16-17页 |
| 1.3.3 稀磁半导体的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.4 GaN基稀磁半导体研究进展 | 第18-23页 |
| 1.4.1 GaN的结构与性质 | 第18-19页 |
| 1.4.1.1 GaN的结构 | 第18页 |
| 1.4.1.2 GaN的物理化学性质 | 第18-19页 |
| 1.4.2 GaN基稀磁半导体的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.4.3 GaN基稀磁半导体的应用前景 | 第23页 |
| 1.4.4 GaN基稀磁半导体存在的问题 | 第23页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的制备与表征 | 第26-34页 |
| 2.1 样品制备 | 第26-28页 |
| 2.1.1 实验材料与设备 | 第26-27页 |
| 2.1.2 实验流程 | 第27-28页 |
| 2.2 性能表征技术 | 第28-34页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪 | 第29-30页 |
| 2.2.3 霍尔效应测试仪 | 第30-32页 |
| 2.2.4 综合物理测量系统 | 第32-34页 |
| 第三章 Dy掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究 | 第34-46页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.2.1 Dy离子注入剂量对GaN:Dy薄膜样品性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.1.1 结构性能分析 | 第34-35页 |
| 3.2.1.2 磁学性能分析 | 第35-36页 |
| 3.2.2 退火温度对GaN:Dy薄膜样品性能的影响 | 第36-43页 |
| 3.2.2.1 结构性能分析 | 第36-37页 |
| 3.2.2.2 磁学性能分析 | 第37-43页 |
| 3.3 Dy掺杂GaN薄膜的铁磁性起源 | 第43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第四章 Dy、C共掺GaN基稀磁半导体材料的研究 | 第46-54页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第46-51页 |
| 4.2.1 结构性能分析 | 第46-49页 |
| 4.2.2 电学性能分析 | 第49-50页 |
| 4.2.3 磁学性能分析 | 第50-51页 |
| 4.3 Dy、C共掺GaN薄膜的铁磁性起源 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
