摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 光电探测器的探测原理 | 第12-13页 |
1.2.1 光子探测器 | 第12页 |
1.2.2 热辐射探测器 | 第12-13页 |
1.3 光电探测器的探测范围分类 | 第13-15页 |
1.3.1 紫外光电探测器 | 第13-14页 |
1.3.2 可见光电探测器 | 第14页 |
1.3.3 红外光电探测器 | 第14-15页 |
1.4 光电探测器的器件结构分类 | 第15-17页 |
1.5 新型纳米结构光电探测器 | 第17-23页 |
1.5.1 量子点光电探测器 | 第18-19页 |
1.5.2 一维纳米结构光电探测器 | 第19-21页 |
1.5.3 二维纳米结构光电探测器 | 第21-23页 |
1.6 紫外-红外双波段光电探测器研究进展 | 第23-25页 |
1.7 课题研究内容和意义 | 第25-26页 |
第2章 实验试剂及表征测试方法 | 第26-32页 |
2.1 实验试剂 | 第26-27页 |
2.2 测试表征仪器 | 第27-32页 |
2.2.1 X射线衍射仪(XRD,X-ray diffraction) | 第27-28页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM,scanning electron microscope) | 第28-29页 |
2.2.3 透射电子显微镜(TEM,transmission electron mcroscope) | 第29-30页 |
2.2.4 X射线光电子能谱(XPS,X-ray Photoelectron Spectroscopy) | 第30-31页 |
2.2.5 拉曼光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第31-32页 |
第3章 PET基石墨烯薄膜的制备与表征 | 第32-42页 |
3.1 氧化石墨烯的合成 | 第32-34页 |
3.2 喷墨打印法制备氧化石墨烯薄膜 | 第34-35页 |
3.3 化学法还原氧化石墨烯薄膜 | 第35-38页 |
3.3.1 还原温度对薄膜电学性能的影响 | 第36-37页 |
3.3.2 还原时间对薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
3.4 还原程度对氧化还原石墨烯薄膜光学性能的影响 | 第38-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-42页 |
第4章 ZnO-Graphene光电探测器的制备和性能研究 | 第42-55页 |
4.1 ZnO-Graphene的制备 | 第42-44页 |
4.2 ZnO-Graphene复合结构材料表征 | 第44-49页 |
4.2.1 形貌表征 | 第44-46页 |
4.2.2 物相表征 | 第46-47页 |
4.2.3 化学成分表征 | 第47-49页 |
4.3 ZnO-Graphene器件的光电性能测试分析 | 第49-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-55页 |
第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
5.1 总结 | 第55-56页 |
5.2 展望 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-64页 |
附录 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |