摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 前言 | 第11-12页 |
1.2 纳米MoS_2的研究进展 | 第12-19页 |
1.2.1 MoS_2的结构和性能 | 第12页 |
1.2.2 纳米MoS_2的研究现状 | 第12-14页 |
1.2.3 纳米MoS_2的生物应用概述 | 第14-19页 |
1.3 纳米氧化钼的研究进展 | 第19-23页 |
1.3.1 现有氧化钼纳米材料研究现状 | 第19-21页 |
1.3.2 纳米氧化钼在生物领域的应用 | 第21-23页 |
1.4 无机纳米材料的生物效应及其安全性评价 | 第23-24页 |
1.5 选题依据及其研究内容 | 第24页 |
参考文献 | 第24-31页 |
第二章 功能化纳米MoS_2的合成及其协同NO抗菌研究 | 第31-63页 |
2.1 前言 | 第31-32页 |
2.2 实验试剂仪器 | 第32-35页 |
2.2.1 材料合成实验试剂 | 第32页 |
2.2.2 细菌实验试剂 | 第32-33页 |
2.2.3 细胞实验试剂 | 第33-34页 |
2.2.4 实验仪器 | 第34-35页 |
2.3 实验步骤 | 第35-41页 |
2.3.1 单层MoS_2纳米片的制备 | 第35页 |
2.3.2 功能化MoS_2纳米片的制备 | 第35页 |
2.3.3 NO前驱体N,N'-二仲丁基-N,N'-二亚硝基-1,4-苯二胺(BNN6)的合成 | 第35页 |
2.3.4 MoS_2-α-CD光热效应的测定 | 第35-36页 |
2.3.5 BNN6的负载及其释放 | 第36页 |
2.3.6 细菌溶液的制备 | 第36页 |
2.3.7 NIR激光诱导释放NO并协同光热的体外抗菌活性评价 | 第36-37页 |
2.3.8 释放于细菌体内NO的检测 | 第37页 |
2.3.9 谷胱甘肽(GSH)的氧化过程评价 | 第37-38页 |
2.3.10 在GSH存在下检测NO | 第38页 |
2.3.11 X射线近边吸收光谱(XANES)分析 | 第38页 |
2.3.12 死/活细菌细胞染色 | 第38-39页 |
2.3.13 细胞毒性分析和体外溶血分析 | 第39-40页 |
2.3.14 彗星实验评估DNA损伤 | 第40页 |
2.3.15 活体表皮伤口愈合分析 | 第40-41页 |
2.3.16 统计学分析 | 第41页 |
2.4 结果与讨论 | 第41-58页 |
2.4.1 功能化MoS_2纳米片的制备及其NO前驱体的负载 | 第41-42页 |
2.4.2 MoS_2纳米片表面修饰及其表征 | 第42-44页 |
2.4.3 MoS_2-α-CD纳米片热效应探究 | 第44-45页 |
2.4.4 NO可控释放研究 | 第45页 |
2.4.5 MoS_2-BNN6抗菌活性评价 | 第45-48页 |
2.4.6 扫描电子显微镜(FE-SEM)表征细菌表面形态的变化 | 第48-49页 |
2.4.7 MoS_2-BNN6纳米复合物的抗菌机理研究 | 第49-55页 |
2.4.8 MoS_2纳米载体安全性评价 | 第55-56页 |
2.4.9 MoS_2-BNN6纳米复合物治愈皮肤炎症创伤伤口 | 第56-58页 |
2.5 本章小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-63页 |
第三章 氧化钼纳米颗粒的制备及其分布代谢、安全性研究 | 第63-79页 |
3.1 前言 | 第63-64页 |
3.2 实验部分 | 第64-67页 |
3.2.1 实验试剂 | 第64页 |
3.2.2 实验仪器 | 第64页 |
3.2.3 氧化钼纳米颗粒的制备 | 第64-65页 |
3.2.4 氧化钼纳米颗粒的表征 | 第65页 |
3.2.5 氧化钼(MoO_X)纳米颗粒体外降解研究 | 第65页 |
3.2.6 细胞毒性分析 | 第65-66页 |
3.2.7 生物分布分析 | 第66页 |
3.2.8 代谢研究 | 第66页 |
3.2.9 体内CT成像 | 第66-67页 |
3.3 结果与讨论 | 第67-75页 |
3.3.1 氧化钼(MoO_X)纳米颗粒表征 | 第67-68页 |
3.3.2 氧化钼(MoO_X)纳米颗粒体外降解 | 第68-71页 |
3.3.3 氧化钼(MoO_X)纳米颗粒细胞毒性评价 | 第71页 |
3.3.4 氧化钼(MoO_X)纳米颗粒生物分布研究 | 第71-74页 |
3.3.5 CT成像分析 | 第74-75页 |
3.4 本章小结 | 第75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
第四章 总结与展望 | 第79-81页 |
攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第81-83页 |
致谢 | 第83-85页 |