| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-9页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 可控硅中频电源工程化现状 | 第9-11页 |
| 1.2.1 感应加热电源发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 可控硅中频电源信号检测技术工程化现状 | 第10页 |
| 1.2.3 中频电源可控硅驱动技术工程化现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第11-13页 |
| 2 可控硅中频电源工程化中的信号检测 | 第13-37页 |
| 2.1 控制系统中的检测信号特性 | 第13-19页 |
| 2.1.1 相序、相位对系统的影响 | 第13-14页 |
| 2.1.2 不同负载下的频率特性 | 第14-18页 |
| 2.1.3 供电电流过流分析 | 第18-19页 |
| 2.2 工程化中的检测性能要求 | 第19-21页 |
| 2.2.1 相序相位检测适应性要求 | 第19-20页 |
| 2.2.2 中频电压量程兼容与精度要求 | 第20-21页 |
| 2.2.3 供电电流检测实时性要求 | 第21页 |
| 2.3 检测电路的工程化实现 | 第21-36页 |
| 2.3.1 相序相位检测电路与周期补偿算法 | 第21-28页 |
| 2.3.2 耐高压过零检测与双通道幅值检测电路 | 第28-34页 |
| 2.3.3 双通道供电电路幅值检测与硬件联动保护电路 | 第34页 |
| 2.3.4 中频电压、供电电流采样程序设计 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 中频电源工程化中的可控硅驱动 | 第37-48页 |
| 3.1 工程应用时可控硅驱动需求 | 第37-41页 |
| 3.1.1 工程应用中需考虑的因素 | 第37-39页 |
| 3.1.2 可控硅驱动条件分析 | 第39-41页 |
| 3.2 强触发抗干扰可控硅驱动方案与实现 | 第41-47页 |
| 3.2.1 强触发抗干扰可控硅驱动方案 | 第41-43页 |
| 3.2.2 强触发抗干扰可控硅驱动电路 | 第43-45页 |
| 3.2.3 可控硅FPGA移相控制电路 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 试验与分析 | 第48-54页 |
| 4.1 信号检测试验及分析 | 第48-50页 |
| 4.1.1 相序相位检测 | 第48-49页 |
| 4.1.2 幅值及频率检测 | 第49-50页 |
| 4.2 可控硅驱动电路试验与分析 | 第50-53页 |
| 4.2.1 整流可控硅驱动 | 第50-52页 |
| 4.2.2 逆变可控硅驱动 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录 | 第60页 |