高精度MEMS硅压力变送器温度漂移影响与补偿研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题来源、背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 高精度MEMS硅压力变送器结构与工作原理 | 第11-12页 |
| 1.3 压力变送器温度补偿现状 | 第12-14页 |
| 1.4 研究内容及论文安排 | 第14-15页 |
| 第二章 高精度MEMS硅压力变送器温度误差分析 | 第15-24页 |
| 2.1 温度对智能电路板的影响 | 第15-16页 |
| 2.2 温度对测量膜盒的影响 | 第16-17页 |
| 2.3 硅压力传感器温漂及原因分析 | 第17-19页 |
| 2.3.1 压力传感器结构和工作原理 | 第17-18页 |
| 2.3.2 零点热温漂 | 第18-19页 |
| 2.3.3 灵敏度温漂 | 第19页 |
| 2.4 现有补偿方法 | 第19-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 压力变送器温度特性实验及数据分析 | 第24-34页 |
| 3.1 压力变送器标定实验 | 第24-26页 |
| 3.2 实验数据与分析 | 第26-32页 |
| 3.2.1 样本数据 | 第26-29页 |
| 3.2.2 端基一致法 | 第29-32页 |
| 3.3 差压变送器温度特性离散性分析 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 采用恒温标定数据的压力变送器温度补偿算法 | 第34-44页 |
| 4.1 绝压变送器温度补偿算法 | 第34-37页 |
| 4.1.1 经验公式 | 第34-35页 |
| 4.1.2 算法设计 | 第35-37页 |
| 4.2 绝压变送器补偿效果及分析 | 第37-41页 |
| 4.3 差压变送器的温度补偿 | 第41-43页 |
| 4.3.1 差压变送器温度补偿算法及结果分析 | 第41-42页 |
| 4.3.2 变温标定数据的提出及保温时间的确定 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 采用变温标定数据的差压变送器温度补偿算法 | 第44-57页 |
| 5.1 神经网络概述 | 第44-48页 |
| 5.1.1 神经网络基本理论 | 第44-47页 |
| 5.1.2 BP算法的存在的问题 | 第47-48页 |
| 5.2 基于BP神经网络的温度补偿模型 | 第48-52页 |
| 5.2.1 温度补偿模型建模思想 | 第48-49页 |
| 5.2.2 温度补偿神经网络模型的建立 | 第49-52页 |
| 5.3 采用变温标定数据温度补偿实例及结果分析 | 第52-56页 |
| 5.3.1 实验方案 | 第52-53页 |
| 5.3.2 补偿效果及分析 | 第53-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 基于改进遗传算法的BP神经网络补偿模型 | 第57-66页 |
| 6.1 遗传算法的基本理论 | 第57-59页 |
| 6.1.1 遗传算法原理 | 第57-59页 |
| 6.1.2 BP算法和遗传算法的互补 | 第59页 |
| 6.2 改进的遗传算法 | 第59-63页 |
| 6.2.1 GA-BP算法编码 | 第59-60页 |
| 6.2.2 适度函数的确定 | 第60-61页 |
| 6.2.3 遗传算子 | 第61-62页 |
| 6.2.4 遗传算法优化BP神经网络结构 | 第62-63页 |
| 6.3 算法性能分析研究 | 第63-65页 |
| 6.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录1 | 第73-78页 |
| 附录2 | 第78-81页 |
| 附录3 | 第81-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 附件 | 第88页 |
