| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 透明导电膜的研究背景及应用 | 第9-11页 |
| 1.1.1 SnO_2基薄膜 | 第9-10页 |
| 1.1.2 In_2O_3基薄膜 | 第10页 |
| 1.1.3 ZnO 基薄膜 | 第10-11页 |
| 1.1.4 透明导电膜的应用 | 第11页 |
| 1.2 ZnO:Al 薄膜的结构及光电特性 | 第11-13页 |
| 1.2.1 ZnO:Al 薄膜的结构特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ZnO:Al 薄膜的导电机理及电学特性 | 第12页 |
| 1.2.3 ZnO:Al 薄膜的光学特性 | 第12-13页 |
| 1.3 ZnO:Al 透明导电膜的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 氢化处理 | 第13页 |
| 1.3.2 非晶硅/晶硅太阳能电池用 TCO | 第13-14页 |
| 1.3.3 TCO/Metal 复合背电极 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnO:Al 薄膜的制备技术 | 第15-17页 |
| 1.4.1 磁控溅射法 | 第15页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 溶胶-凝胶法 | 第16页 |
| 1.4.4 脉冲激光沉积法 | 第16页 |
| 1.4.5 分子束外延法 | 第16-17页 |
| 1.5 本课题的研究目的和内容 | 第17-18页 |
| 第2章 样品的制备及性能表征方法 | 第18-22页 |
| 2.1 非晶硅薄膜衬底的制备 | 第18页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第18页 |
| 2.1.2 非晶硅薄膜样品的制备 | 第18页 |
| 2.2 ZnO:Al 薄膜的制备 | 第18-19页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第18-19页 |
| 2.2.2 AZO 薄膜样品的制备 | 第19页 |
| 2.3 薄膜的性能表征方法 | 第19-22页 |
| 2.3.1 X 射线衍射分析 | 第19-20页 |
| 2.3.2 扫描电镜（SEM）分析 | 第20页 |
| 2.3.3 薄膜厚度测试方法 | 第20页 |
| 2.3.4 拉曼（Raman）光谱分析 | 第20页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试分析 | 第20-21页 |
| 2.3.6 紫外-可见分光光度计 | 第21页 |
| 2.3.7 太阳能电池 I-V 测试仪 | 第21-22页 |
| 第3章 工艺参数对 ZnO:Al 薄膜性能及非晶 Si 衬底的影响 | 第22-35页 |
| 3.1 溅射功率对 ZnO:Al 薄膜性能的影响 | 第22-27页 |
| 3.1.1 溅射功率对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第22-23页 |
| 3.1.2 溅射功率对 ZnO:Al 薄膜表面形貌的影响 | 第23-24页 |
| 3.1.3 溅射功率对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第24-26页 |
| 3.1.4 溅射功率对 ZnO:Al 薄膜光学性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.2 溅射功率对非晶硅层的影响 | 第27-28页 |
| 3.3 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜性能的影响 | 第28-33页 |
| 3.3.1 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.3 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.4 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜光学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 沉积温度对非晶硅层的影响 | 第33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 Ar 气中掺杂 H_2制备 ZnO:Al 薄膜及性能研究 | 第35-50页 |
| 4.1 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜性能的影响 | 第35-39页 |
| 4.1.1 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.2 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.3 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.4 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜光学性能的影响 | 第39页 |
| 4.2 沉积温度对掺 H_2制备 ZnO:Al 薄膜性能的影响 | 第39-44页 |
| 4.2.1 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.2 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.3 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.4 沉积温度对 ZnO:Al 薄膜光学性能的影响 | 第44页 |
| 4.3 低温掺 H_2制备 ZnO:Al 薄膜及性能研究 | 第44-48页 |
| 4.3.1 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.2 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.3 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.4 掺 H_2量对 ZnO:Al 薄膜光学性能的影响 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 ZnO:Al/Al 复合背电极的初步研究 | 第50-55页 |
| 5.1 实验方案 | 第50页 |
| 5.2 ZnO:Al 薄膜与 n-a-Si 接触特性的研究 | 第50-53页 |
| 5.2.1 厚度对 ZnO:Al 薄膜组织结构的影响 | 第50-51页 |
| 5.2.2 厚度对 ZnO:Al 薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 5.2.3 ZnO:Al 薄膜厚度对 ZnO:Al/n-a-Si 接触特性的影响 | 第52-53页 |
| 5.3 ZnO:Al/Al 复合背电极的增反作用 | 第53-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
