| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 分数阶忆阻器模型的研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 分数阶忆阻器模型的国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文的创新点和工作安排 | 第10-12页 |
| 第2章 一种带有非线性漂移函数的忆阻器模型 | 第12-25页 |
| 2.1 忆阻器的基本特性 | 第12-14页 |
| 2.2 带有非线性漂移函数的忆阻器模型 | 第14-18页 |
| 2.3 一种新的带有非线性漂移函数的忆阻器模型 | 第18-24页 |
| 2.3.1 忆阻器数学模型的验证 | 第20-22页 |
| 2.3.2 忆阻器SPICE模型的验证 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小节 | 第24-25页 |
| 第3章 一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型 | 第25-43页 |
| 3.1 分数阶微积分 | 第25-26页 |
| 3.2 一种带有非线性漂移函数的分数阶忆阻器模型 | 第26-31页 |
| 3.2.1 分数阶忆阻器模型的阶跃信号响应 | 第28-29页 |
| 3.2.2 分数阶忆阻器模型的正弦信号响应 | 第29-31页 |
| 3.3 基于正弦信号激励的分数阶忆阻器SPICE模型 | 第31-35页 |
| 3.3.1 电容移相电路与并联RC移相电路的比较 | 第31-33页 |
| 3.3.2 分数阶忆阻器SPICE模型 | 第33-35页 |
| 3.4 分数阶忆阻器SPICE模型特性的分析 | 第35-42页 |
| 3.4.1 线性漂移函数分数阶忆阻器的特性分析 | 第36-38页 |
| 3.4.2 非线性漂移函数分数阶忆阻器的特性分析 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小节 | 第42-43页 |
| 第4章 基于线性变换电路的分数阶忆容器 | 第43-53页 |
| 4.1 分数阶忆阻器与分数阶忆容器之间的转换条件 | 第43-45页 |
| 4.2 用分数阶忆阻器实现分数阶忆容器的转换电路 | 第45-47页 |
| 4.3 线性漂移函数分数阶忆容器模型的特性 | 第47-49页 |
| 4.4 非线性漂移函数分数阶忆容器模型的特性 | 第49-52页 |
| 4.5 本章小节 | 第52-53页 |
| 第五章 基于线性变换电路的分数阶忆感器 | 第53-64页 |
| 5.1 分数阶忆阻器与分数阶忆感器之间的转换条件 | 第53-54页 |
| 5.2 用分数阶忆阻器实现分数阶忆感器的电路 | 第54-56页 |
| 5.3 线性漂移函数分数阶忆感器模型的特性 | 第56-58页 |
| 5.4 非线性漂移函数分数阶忆感器模型的特性 | 第58-63页 |
| 5.5 本章小节 | 第63-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |