采用透明电极的垂直型4H-SiC光导开关的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 大功率固态光导开关的研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 碳化硅光导开关 | 第17-23页 |
| 1.2.1 光导开关的发展 | 第17-19页 |
| 1.2.2 SiC光导开关的结构分类与工作模式 | 第19-20页 |
| 1.2.3 SiC光导开关的研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3 本文主要研究内容和创新点 | 第23-26页 |
| 第二章 碳化硅光导开关的工作原理与结构设计 | 第26-48页 |
| 2.1 新型碳化硅光导开关的结构设计 | 第26-32页 |
| 2.1.1 光导开关的设计要求 | 第26-27页 |
| 2.1.2 垂直型碳化硅光导开关设计方案 | 第27-29页 |
| 2.1.3 主要创新点对比与分析 | 第29-32页 |
| 2.2 4H-SiC | 第32-37页 |
| 2.2.1 4H-SiC材料的基本性质 | 第32-34页 |
| 2.2.2 碳化硅半绝缘衬底 | 第34-35页 |
| 2.2.3 钒补偿的 4H-SiC衬底参数表征 | 第35-37页 |
| 2.3 透明材料AZO | 第37-41页 |
| 2.3.1 AZO薄膜特性研究 | 第37-41页 |
| 2.3.2 减反膜的设计 | 第41页 |
| 2.4 光电导特性及导通电阻的计算 | 第41-46页 |
| 2.4.1 光电导特性 | 第41-43页 |
| 2.4.2 导通电阻的计算 | 第43-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 4H-SiC光导开关制备 | 第48-60页 |
| 3.1 4H-SiC光导开关工艺规划 | 第48-49页 |
| 3.2 制备 | 第49-56页 |
| 3.2.1 双面选择性磷离子注入 | 第49-51页 |
| 3.2.2 镍基金属电极的制备 | 第51-53页 |
| 3.2.3 银镜制备 | 第53页 |
| 3.2.4 AZO透明窗口 | 第53-54页 |
| 3.2.5 耐压封装 | 第54-56页 |
| 3.3 Ni基金属比接触电阻率测量 | 第56-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 光导开关的性能测试与分析 | 第60-80页 |
| 4.1 测试平台的搭建 | 第60-62页 |
| 4.2 光导开关最小导通电阻及耐压测试 | 第62-71页 |
| 4.2.1 对比结构的最小导通电阻测试。 | 第62-66页 |
| 4.2.2 器件最小导通电阻测试 | 第66-69页 |
| 4.2.3 器件耐压测试 | 第69-71页 |
| 4.3 测试电路的波形及误差分析 | 第71-74页 |
| 4.4 导通电阻率模型及实验拟合 | 第74-78页 |
| 4.4.1 光导开关导通电阻模型 | 第74-75页 |
| 4.4.2 光导开关衬底电阻率测量实验 | 第75-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 5.1 总结 | 第80-81页 |
| 5.2 展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 作者简介 | 第88-89页 |
