1500V N沟VDMOS器件
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 VDMOS的发展 | 第12-14页 |
| 1.2.1 VVMOS | 第12-13页 |
| 1.2.2 VUMOS | 第13-14页 |
| 1.2.3 VDMOS | 第14页 |
| 1.3 国内外现状与选题意义 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 VDMOS基本理论 | 第17-32页 |
| 2.1 VDMOS的主要特点 | 第17-18页 |
| 2.2 VDMOS的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.3 VDMOS的静态特性 | 第19-22页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第19-20页 |
| 2.3.2 漏源击穿电压 | 第20页 |
| 2.3.3 跨导 | 第20页 |
| 2.3.4 导通电阻 | 第20-22页 |
| 2.3.5 漏电流 | 第22页 |
| 2.4 VDMOS的动态特性参数 | 第22-27页 |
| 2.4.1 栅电容 | 第22-24页 |
| 2.4.2 最高工作频率 | 第24页 |
| 2.4.3 开关特性参数 | 第24-27页 |
| 2.5 终端理论 | 第27-30页 |
| 2.5.1 等位环结构 | 第27-28页 |
| 2.5.2 场限环结构 | 第28-29页 |
| 2.5.3 场板结构 | 第29-30页 |
| 2.5.4 高压VDMOS常用终端结构 | 第30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 1500V N沟VDMOS器件的设计 | 第32-54页 |
| 3.1 设计指标 | 第32-33页 |
| 3.2 器件工艺设计 | 第33-35页 |
| 3.2.1 流程设计 | 第33-34页 |
| 3.2.2 关键工艺步骤设计 | 第34-35页 |
| 3.3 器件元胞设计 | 第35-45页 |
| 3.3.1 元胞尺寸 | 第36页 |
| 3.3.2 漂移区参数 | 第36-39页 |
| 3.3.3 JFET推结时间 | 第39页 |
| 3.3.4 Pbody区注入剂量 | 第39-41页 |
| 3.3.5 Pbody推结时间 | 第41-42页 |
| 3.3.6 元胞大小 | 第42-43页 |
| 3.3.7 元胞仿真结果 | 第43-45页 |
| 3.4 器件终端设计 | 第45-49页 |
| 3.4.1 本文采用的终端结构 | 第45-46页 |
| 3.4.2 终端结构仿真 | 第46页 |
| 3.4.3 终端参数仿真 | 第46-49页 |
| 3.5 版图设计及绘制 | 第49-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 1500V N沟VDMOS的测试与分析 | 第54-65页 |
| 4.1 静态参数测试 | 第54-58页 |
| 4.1.1 静态测试总体情况 | 第54-55页 |
| 4.1.2 漏源漏电流 | 第55页 |
| 4.1.3 漏源击穿电压 | 第55-56页 |
| 4.1.4 阈值电压 | 第56-57页 |
| 4.1.5 导通电阻 | 第57页 |
| 4.1.6 跨导及正向导通压降 | 第57-58页 |
| 4.2 动态参数测试 | 第58-63页 |
| 4.2.1 栅电容 | 第58-59页 |
| 4.2.2 栅电荷 | 第59-60页 |
| 4.2.3 开关时间 | 第60-61页 |
| 4.2.4 反向恢复时间 | 第61-63页 |
| 4.3 第二次流片测试 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 硕士研究生期间取得的成果 | 第70-71页 |
