| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 毫米波GaN基HEMT器件的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT等效电路模型的研究进展 | 第14-19页 |
| 1.4 本文主要的研究内容及结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本理论和主要特性 | 第21-25页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第21-23页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT中的极化效应 | 第21-22页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT二维电子气产生机理 | 第22-23页 |
| 2.2 微波功率AlGaN/GaN HEMT主要技术参数 | 第23-25页 |
| 第三章 毫米波AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路建模 | 第25-47页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT等效电路建模基本理论 | 第25-30页 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN HEMT等效电路建模概述 | 第25-26页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路建模基本理论 | 第26-28页 |
| 3.1.3 AlGaN/GaN HEMT的S参数微波测试 | 第28-30页 |
| 3.2 毫米波AlGaN/Ga N HEMT制备与测试 | 第30-35页 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN HEMT关键工艺制备流程 | 第30-31页 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN HEMT样品制备 | 第31-32页 |
| 3.2.3 AlGaN/GaN HEMT DC与RF测试 | 第32-35页 |
| 3.3 小信号等效电路模型的建立与参数提取 | 第35-44页 |
| 3.3.1 小信号等效电路模型的建立 | 第35-37页 |
| 3.3.2 寄生电容的提取 | 第37-38页 |
| 3.3.3 寄生电感与寄生电阻的提取 | 第38-41页 |
| 3.3.4 本征参数的提取 | 第41-44页 |
| 3.4 模型仿真与结果验证 | 第44-47页 |
| 第四章 台面边缘电容对GaN基毫米波器件频率特性的影响研究 | 第47-56页 |
| 4.1 台面边缘电容的产生机理和物理模型 | 第47-49页 |
| 4.1.1 GaN基毫米波器件中的寄生效应 | 第47-48页 |
| 4.1.2 台面边缘电容的物理模型 | 第48-49页 |
| 4.2 台面边缘电容的参数提取 | 第49-52页 |
| 4.3 器件特性仿真与测试结果对比分析 | 第52-54页 |
| 4.4 台面边缘电容对毫米波器件微波特性的影响 | 第54-56页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT大信号等效电路建模 | 第56-61页 |
| 5.1 AlGaN/GaN HEMT常用大信号模型 | 第56-57页 |
| 5.2 AlGaN/GaN HEMT大信号等效电路模型的建立 | 第57-61页 |
| 5.2.1 AlGaN/GaN HEMT常用I-V模型 | 第57-58页 |
| 5.2.2 毫米波AlGaN/GaN HEMT I-V特性拟合 | 第58-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |
