| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件耐压特性研究现状 | 第17-24页 |
| 1.3 本文的主要内容和计划 | 第24-28页 |
| 第二章 GaN基HEMT器件原理 | 第28-38页 |
| 2.1 GaN材料和晶体结构简介 | 第28-29页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的原理和二维电子气形成机理 | 第29-32页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件基本结构 | 第29-30页 |
| 2.2.2 二维电子气形成机理 | 第30-32页 |
| 2.3 GaN基HEMT功率开关器件应用分析 | 第32-34页 |
| 2.4 GaN基HEMT的击穿机理分析 | 第34-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 GaN基HEMT器件阻断技术研究 | 第38-54页 |
| 3.1 T形源场板GaN基HMET器件研究 | 第38-45页 |
| 3.1.1 器件结构和仿真模型 | 第38-39页 |
| 3.1.2 结果和讨论 | 第39-45页 |
| 3.2 超结GaN基HEMT器件研究 | 第45-52页 |
| 3.2.1 超结GaN基HEMT器件结构和仿真模型 | 第45-47页 |
| 3.2.2 结果和讨论 | 第47-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 GaN基HEMT双向阻断和双向开关器件研究 | 第54-72页 |
| 4.1 可双向阻断SJ-FLR结构HEMT器件研究 | 第54-60页 |
| 4.1.1 器件结构和仿真模型 | 第55页 |
| 4.1.2 结果和讨论 | 第55-60页 |
| 4.2 GaN基HEMT双向开关器件研究 | 第60-67页 |
| 4.2.1 双向超结GaN基HEMT双向开关器件研究 | 第60-63页 |
| 4.2.2 复用SJ-FLR的HEMT双向开关器件研究 | 第63-67页 |
| 4.3 复用FFP结构的HEMT双向开关器件研究 | 第67-71页 |
| 4.3.1 器件结构和仿真模型 | 第67-68页 |
| 4.3.2 结果和讨论 | 第68-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结和前景 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 前景 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
