| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-15页 |
| 1.1 论文的背景及研究意义 | 第12-13页 |
| 1.2 课题的提出 | 第13页 |
| 1.3 论文主要内容及研究方法 | 第13-15页 |
| 第二章 半导体器件 EMP 损伤机理分析 | 第15-22页 |
| 2.1 EMP 微波破坏电子设备性能的物理基础 | 第15-17页 |
| 2.2 半导体器件的损伤机理 | 第17-19页 |
| 2.3 几种器件失效机理分析 | 第19-21页 |
| 2.3.1 双极晶体管 | 第19-20页 |
| 2.3.2 化合物半导体场效应晶体管 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 器件模拟的理论基础 | 第22-36页 |
| 3.1 器件参数的确定 | 第23-26页 |
| 3.1.1 本征半导体与非本征半导体 | 第23页 |
| 3.1.2 迁移率和扩散率 | 第23-24页 |
| 3.1.3 载流子的产生率和复合率 | 第24-26页 |
| 3.2 半导体器件的基本方程 | 第26-30页 |
| 3.2.1 麦克斯韦方程组 | 第27页 |
| 3.2.2 泊松方程 | 第27页 |
| 3.2.3 电流密度方程 | 第27-28页 |
| 3.2.4 电流连续性方程 | 第28页 |
| 3.2.5 热流方程 | 第28-30页 |
| 3.3 方程参数的归一化 | 第30-31页 |
| 3.4 边界条件 | 第31-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 基于有限元的半导体器件数值模拟方法 | 第36-68页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 有限元方法的基本原理 | 第36-45页 |
| 4.2.1 边值问题 | 第37页 |
| 4.2.2 里兹方法 | 第37-39页 |
| 4.2.3 伽辽金方法 | 第39-40页 |
| 4.2.4 有限元方法的基本步骤 | 第40-45页 |
| 4.3 有限元MOS 器件电特性的二维稳态模拟 | 第45-55页 |
| 4.3.1 模型方程与边界条件 | 第45-46页 |
| 4.3.2 模型方程对应的有限元表达式 | 第46-48页 |
| 4.3.3 线性化的离散方程 | 第48-51页 |
| 4.3.4 三角单元的线性插值、单元分析及总体合成 | 第51-54页 |
| 4.3.5 模型方程组的求解过程 | 第54-55页 |
| 4.4 有限元MOS 器件的电特性的二维瞬态模拟 | 第55-58页 |
| 4.4.1 瞬态分析的模型及变量 | 第55-57页 |
| 4.4.2 数值模拟的方法 | 第57-58页 |
| 4.5 有限元MOS 器件的热特性的二维模拟 | 第58-59页 |
| 4.5.1 热源的产生 | 第58页 |
| 4.5.2 二维热场有限元方程 | 第58-59页 |
| 4.6 薄膜晶体管的二维仿真结果 | 第59-67页 |
| 4.6.1 薄膜晶体管的结构 | 第60-63页 |
| 4.6.2 数值计算和分析 | 第63-67页 |
| 4.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 双极型晶体管的二维仿真结果 | 第68-77页 |
| 5.1 掺杂浓度 | 第68-70页 |
| 5.2 稳态仿真结果 | 第70-71页 |
| 5.3 瞬态仿真结果 | 第71-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-78页 |
| 6.1 研究总结 | 第77页 |
| 6.2 研究展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82页 |