| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 硅纳米线的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.2 硅纳米线的性能 | 第16-21页 |
| 1.2.1 硅纳米线的电学特性 | 第16-19页 |
| 1.2.2 硅纳米线的光学特性 | 第19-20页 |
| 1.2.3 硅纳米线的力学特性 | 第20-21页 |
| 1.2.4 硅纳米线的磁学特性 | 第21页 |
| 1.3 硅纳米线的应用 | 第21-25页 |
| 1.3.1 场效应管 | 第22页 |
| 1.3.2 太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.3 锂电池电极 | 第23-24页 |
| 1.3.4 传感器 | 第24页 |
| 1.3.5 其他应用 | 第24-25页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 硅纳米线的结构及交换相关函数 | 第27-33页 |
| 2.1 计算方法 | 第27-28页 |
| 2.2 硅纳米线的结构 | 第28-29页 |
| 2.3 PW91和HCTH函数的比较 | 第29-33页 |
| 第3章 轴向电场对<111>硅纳米线电学性能和结构的影响 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 计算方法 | 第34-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-45页 |
| 3.4 结论 | 第45-47页 |
| 第4章 多场作用下硅纳米线能带结构的变化 | 第47-63页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 计算方法 | 第48-51页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第51-61页 |
| 4.4 结论 | 第61-63页 |
| 第5章 偏压对<112>硅纳米线光学和电学性能的影响 | 第63-75页 |
| 5.1 引言 | 第63-64页 |
| 5.2. 计算方法 | 第64-66页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第66-73页 |
| 5.4 结论 | 第73-75页 |
| 第6章 硅纳米线作为光解水催化剂的应用 | 第75-83页 |
| 6.1 引言 | 第75-76页 |
| 6.2 计算方法 | 第76-77页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第77-82页 |
| 6.4 结论 | 第82-83页 |
| 第7章 主要结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-107页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |