| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 热解炭的微观结构 | 第12-17页 |
| 1.2.1 热解炭的结构特征 | 第12-13页 |
| 1.2.2 热解炭的表征与分类 | 第13-17页 |
| 1.3 稳态流化床化学气相沉积工艺 | 第17-21页 |
| 1.3.1 化学气相沉积工艺 | 第17-18页 |
| 1.3.2 影响化学气相沉积工艺的主要参数 | 第18-21页 |
| 1.4 化学气相沉积热解炭的形成机理 | 第21-24页 |
| 1.4.1 烃类气体在气相中的热解反应 | 第22-23页 |
| 1.4.2 热解炭沉积机理 | 第23-24页 |
| 1.5 流化床气固两相动力学分析 | 第24-25页 |
| 1.6 本文研究意义及主要内容 | 第25-27页 |
| 第2章 材料制备与表征 | 第27-31页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 含硅低温各向同性热解炭的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 稳态流化床反应装置 | 第27-28页 |
| 2.2.2 含硅低温各向同性热解炭材料的制备工艺参数 | 第28-29页 |
| 2.3 含硅低温各向同性热解炭微观结构的表征方法 | 第29-31页 |
| 2.3.1 密度 | 第29页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第29页 |
| 2.3.3 X射线能谱(EDS) | 第29页 |
| 2.3.4 扫描电镜(SEM) | 第29-30页 |
| 2.3.5 透射电镜(TEM) | 第30-31页 |
| 第3章 沉积条件对含硅低温各向同性热解炭微观组织结构的影响 | 第31-43页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 含硅低温各向同性热解炭的组分分析 | 第31-33页 |
| 3.2.1 X射线能谱分析(EDS) | 第31-32页 |
| 3.2.2 X射线衍射分析(XRD) | 第32-33页 |
| 3.3 沉积条件对Si-LTIC断面形貌的影响(SEM) | 第33-36页 |
| 3.4 沉积条件对Si-LTIC织态结构的影响(TEM) | 第36-40页 |
| 3.5 沉积条件对Si-LTIC沉积速率和密度的影响 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 含硅低温各向同性热解炭的沉积机理分析 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 SFBCVD均相气相反应 | 第43-46页 |
| 4.3 SFBCVD异相表面反应 | 第46页 |
| 4.4 含硅低温各向同性热解炭沉积模型 | 第46-48页 |
| 4.5 沉积条件对含硅低温各向同性热解炭形成过程的影响 | 第48-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 稳态流化床内稠密气固两相流动的数值模拟 | 第51-68页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 数值模拟理论 | 第51-54页 |
| 5.2.1 CFD数值模拟方法简介 | 第51-52页 |
| 5.2.2 稠密气固两相流的数值计算模型 | 第52-53页 |
| 5.2.3 稳态流化床内稠密气固两相流数学模型的选择 | 第53-54页 |
| 5.3 数值模拟求解过程 | 第54-58页 |
| 5.3.1 几何模型与网格划分 | 第54-56页 |
| 5.3.2 fluent求解器的选择与边界条件的设定 | 第56-57页 |
| 5.3.3 求解控制与计算 | 第57-58页 |
| 5.4 数值模拟的结果与分析 | 第58-66页 |
| 5.4.1 沉积炉的锥角对流动状态的影响 | 第58-62页 |
| 5.4.2 入口气体速度对流动状态的影响 | 第62-66页 |
| 5.5 稳态流化床内Si-LTIC沉积机理分析 | 第66-67页 |
| 5.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 总结 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录 | 第75页 |
