杂化键能的理论计算及其应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 杂化理论简介 | 第9-10页 |
| 1.2 二维半导体材料简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 二维结构材料的类型与特点 | 第10-12页 |
| 1.2.2 二维半导体材料的制备技术及应用 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体薄膜材料简介 | 第13-15页 |
| 1.3.1 半导体薄膜结构类型 | 第13页 |
| 1.3.2 半导体薄膜结构相变研究现状及应用 | 第13-15页 |
| 1.4 空位诱导局域磁性机理解释概况 | 第15-18页 |
| 1.5 本文研究目的与内容 | 第18-20页 |
| 第2章 杂化键能的理论计算 | 第20-25页 |
| 2.1 紧束缚近似理论 | 第20-21页 |
| 2.2 sp~2及sp~3键能的理论计算 | 第21-25页 |
| 第3章 杂化键能与半导体超薄膜的结构相变 | 第25-31页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 单层薄膜材料的平面结构与倒扣结构之争 | 第25-26页 |
| 3.3 半导体超薄膜结构相变的临界厚度预测 | 第26-30页 |
| 3.4 小结 | 第30-31页 |
| 第4章 sp~3杂化键能与半导体空位诱导局域磁矩 | 第31-36页 |
| 4.1 引言 | 第31-32页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第32页 |
| 4.3 结果及其讨论 | 第32-35页 |
| 4.3.1 自旋密度图分析 | 第32-33页 |
| 4.3.2 空位缺陷处电荷密度分析 | 第33-34页 |
| 4.3.3 sp~3杂化键能及局域磁矩计算与讨论 | 第34-35页 |
| 4.4 小结 | 第35-36页 |
| 第5章 总结与展望 | 第36-38页 |
| 5.1 工作总结 | 第36页 |
| 5.2 工作展望 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第43页 |
