| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 类石墨烯二维纳米材料的研究现状和进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第10-11页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫化物 | 第11-12页 |
| 1.2.3 拓扑绝缘体 | 第12页 |
| 1.3 二维层状材料的制备方法 | 第12-16页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第12-13页 |
| 1.3.2 溶液剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.3 水热法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 热蒸发法 | 第15页 |
| 1.3.5 其他方法 | 第15-16页 |
| 1.4 过渡金属二硫化物的应用 | 第16-20页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第16-17页 |
| 1.4.2 气体传感器 | 第17-18页 |
| 1.4.3 锂离子电池 | 第18页 |
| 1.4.4 光传感器 | 第18-19页 |
| 1.4.5 其他应用 | 第19-20页 |
| 1.5 拓扑绝缘体的应用 | 第20-22页 |
| 1.5.1 光电子器件 | 第20页 |
| 1.5.2 微纳电子器件 | 第20-21页 |
| 1.5.3 其他应用 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的目的、意义和研究内容 | 第22-24页 |
| 1.6.1 研究目的和意义 | 第22页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 过渡金属二硫化物二维纳米结构的可控制备及其光电性能 | 第24-35页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 WS_2纳米结构的可控制备 | 第24-29页 |
| 2.2.1 制备方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 结果与分析 | 第25-29页 |
| 2.3 WS_2的光电性能研究 | 第29-31页 |
| 2.3.1 表面电势研究 | 第29-30页 |
| 2.3.2 光致发光性能研究 | 第30-31页 |
| 2.4 WSe_2纳米结构的可控制备 | 第31-32页 |
| 2.4.1 制备方法 | 第31页 |
| 2.4.2 结果与分析 | 第31-32页 |
| 2.5 WSe_2光电性能研究 | 第32-34页 |
| 2.5.1 表面电势研究 | 第32-33页 |
| 2.5.2 光致发光性能研究 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 拓扑绝缘体的制备及其光电响应特性 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 拓扑绝缘体纳米片的制备和表征 | 第35-37页 |
| 3.3 Bi_2Se_3、Bi_2Te_3纳米片的光响应特性 | 第37-42页 |
| 3.3.1 Bi_2Se_3纳米片与Bi_2Se_3块体的光响应特性 | 第37-40页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3纳米片在不同单色光下的光响应特性 | 第40-41页 |
| 3.3.3 Bi_2Te_3纳米片的光响应特性 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 4.1 总结 | 第43-44页 |
| 4.2 展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第52页 |
