| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光解水制氢的基本原理 | 第10-12页 |
| 1.2.1 光解水制氢的原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光解水制氢的主要过程 | 第11-12页 |
| 1.3 光电化学制氢的标准 | 第12-13页 |
| 1.3.1 制氢活性 | 第12-13页 |
| 1.3.2 制氢稳定性 | 第13页 |
| 1.4 半导体修饰用于提高可见光吸收的方法 | 第13-16页 |
| 1.4.1 金属/非金属离子的掺杂 | 第14-15页 |
| 1.4.2 固溶体调控能带结构 | 第15页 |
| 1.4.3 染料敏化吸收可见光 | 第15-16页 |
| 1.5 提高光生电荷有效分离效率的方法 | 第16-20页 |
| 1.5.1 催化剂的负载 | 第16-18页 |
| 1.5.1.1 贵金属催化剂 | 第17页 |
| 1.5.1.2 过渡金属氧化物催化剂 | 第17页 |
| 1.5.1.3 非金属氧化物助催化剂 | 第17-18页 |
| 1.5.2 半导体组合 | 第18-19页 |
| 1.5.3 晶体结构和尺寸的改变 | 第19-20页 |
| 1.5.3.1 晶体结构的改变 | 第19-20页 |
| 1.5.3.2 晶体尺寸的控制 | 第20页 |
| 1.6 本文的选题意义以及主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 ZnSe/CqdS/CdSe三重敏化ZnO纳米线阵列及其多带隙制氢 | 第22-33页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验过程 | 第23-25页 |
| 2.2.1 ZnO纳米线阵列的制备 | 第23页 |
| 2.2.2 ZnSe/CdS/CdSe三重敏化的ZnO纳米线阵列的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 ZnO@ZnSe/CdS/CdSe纳米线阵列的表征 | 第24页 |
| 2.2.4 ZnO@ZnSe/CdS/CdSe纳米线阵列电极的光电化学性能测试 | 第24-25页 |
| 2.3 结果与分析 | 第25-31页 |
| 2.3.1 形貌和成分 | 第25-27页 |
| 2.3.2 紫外-可见吸收 | 第27-28页 |
| 2.3.3 电化学性能 | 第28-31页 |
| 2.3.4 光电转换效率 | 第31页 |
| 2.4 总结 | 第31-33页 |
| 第3章 CdS/CdSe共敏化叠层TiO_2/ZnO纳米线阵列及其光电化学制氢性能的研究 | 第33-42页 |
| 3.1 前言 | 第33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-35页 |
| 3.2.1 叠层TiO_2/ZnO纳米线阵列的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 CdS/CdSe共敏化叠层TiO_2/ZnO纳米线阵列的制备 | 第34页 |
| 3.2.3 TiO_2/ZnO@CdS/CdSe纳米线阵列的表征 | 第34-35页 |
| 3.2.4 TiO_2/ZnO@CdS/CdSe纳米线阵列电极的光电化学性能测试 | 第35页 |
| 3.3 结果与分析 | 第35-41页 |
| 3.3.1 叠层TiO_2/ZnO纳米线阵列的形貌与结构 | 第35-37页 |
| 3.3.2 TiO_2/ZnO@CdS/CdSe纳米线阵列的拉曼表征 | 第37页 |
| 3.3.3 紫外-可见吸收 | 第37-38页 |
| 3.3.4 电化学性能 | 第38-41页 |
| 3.4 总结 | 第41-42页 |
| 第4章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 4.1 总结 | 第42页 |
| 4.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53页 |
