| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 OFET 的研究进展及研究意义 | 第11-13页 |
| 1.3 OFET 目前存在的问题和发展方向 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 有机场效应晶体管简介 | 第16-30页 |
| 2.1 有机场效应晶体管的结构 | 第16-17页 |
| 2.2 OFET 材料 | 第17-19页 |
| 2.2.1 衬底材料 | 第17页 |
| 2.2.2 电极材料 | 第17页 |
| 2.2.3 绝缘层材料 | 第17-18页 |
| 2.2.4 半导体材料 | 第18-19页 |
| 2.3 OFET 工作原理 | 第19-20页 |
| 2.4 OFET 电学性能模型和性能参数 | 第20-25页 |
| 2.4.1 OFET 电学性能模型 | 第20-22页 |
| 2.4.2 OFET 性能参数 | 第22-25页 |
| 2.5 有机半导体的电荷传输机制 | 第25-28页 |
| 2.6 OFET 制备方法 | 第28-29页 |
| 2.7 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于异质结有机耗尽型和双极性场效应晶体管器件研究 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验部分 | 第30-33页 |
| 3.2.1 实验方案设计 | 第30-32页 |
| 3.2.2 工艺流程 | 第32-33页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 单层 F16CuPc 晶体管和 F16CuPc/CuPc 异质结晶体管的器件性能对比与分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2 利用 MoO3修饰 Au 电极实现双极性 F16CuPc /CuPc 晶体管 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 基于异质结有机非易失型晶体管存储器研究 | 第38-47页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 4.2.1 实验方案设计 | 第38-39页 |
| 4.2.2 工艺流程 | 第39-40页 |
| 4.3 结果分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 单层 Pentacene 晶体管与 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储性能的对比与分析 | 第40-41页 |
| 4.3.2 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储器的基本存储性能 | 第41-42页 |
| 4.3.3 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储器多级存储性质的研究 | 第42-43页 |
| 4.3.4 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储器阈值电压与光照的关系 | 第43-44页 |
| 4.3.5 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储机理分析 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 基于柔性衬底异质结有机非易失型晶体管存储器研究 | 第47-53页 |
| 5.1 引言 | 第47-48页 |
| 5.2 实验部分 | 第48-50页 |
| 5.2.1 实验方案设计 | 第48-49页 |
| 5.2.2 工艺流程 | 第49-50页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第50-52页 |
| 5.3.1 柔性 Pentacene 晶体管与 Pentacene/P13/Pentacene 异质结晶体管存储器存储性能的对比与分析 | 第50页 |
| 5.3.2 柔性 Pentacene/P13/Pentacene 异质结有机晶体管存储器基本的存储性能 | 第50-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第53-55页 |
| 6.1 全文总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第61-62页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
