| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 有机半导体二极管电存储简介 | 第12-20页 |
| 1.2.1 有机半导体二极管电存储器件的存储原理 | 第13页 |
| 1.2.2 有机半导体二极管电存储器件的器件结构类型 | 第13-14页 |
| 1.2.3 有机半导体二极管电存储器件的存储类型分类 | 第14-15页 |
| 1.2.4 常见的有机半导体二极管电存储器件材料 | 第15-17页 |
| 1.2.5 有机半导体二极管电存储器存储机理 | 第17-20页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第20-21页 |
| 第二章 有机半导体二极管电存储器件制的制备及测试 | 第21-29页 |
| 2.1 有机半导体二极管电存储器件的制备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 准备阶段 | 第21-22页 |
| 2.1.2 器件制备 | 第22-24页 |
| 2.2 有机半导体二极管电存储器件的表征与性能测试 | 第24-27页 |
| 2.2.1 有机半导体二极管电存储器件的表征 | 第24-25页 |
| 2.2.2 有机半导体二极管电存储器件的测试 | 第25-27页 |
| 2.3 有机半导体二极管电存储器件性能的研究现状 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于氧化石墨烯的二极管电存储器件的研究 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 氧化石墨烯及其薄膜器件制备 | 第30-33页 |
| 3.2.1 高质量的稳定氧化石墨烯的制备 | 第30-32页 |
| 3.2.2 化石墨烯薄膜器件的制备 | 第32-33页 |
| 3.3 基于氧化石墨烯的二极管电存储性能 | 第33-40页 |
| 3.3.1 器件薄膜形态的表征 | 第33-36页 |
| 3.3.2 器件电压-电流特性的测试 | 第36-37页 |
| 3.3.3 器件存储特性与薄膜形态关系 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于氧化石墨烯掺杂不同量子点的多阶存储器件及其机理研究 | 第41-54页 |
| 4.1 引言 | 第41-43页 |
| 4.2 氧化石墨烯量子点及其薄膜器件的制备 | 第43-48页 |
| 4.2.1 氧化石墨烯量子点的制备及其表征 | 第43-45页 |
| 4.2.2 氧化石墨烯量子点薄膜器件的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.3 氧化石墨烯量子点存储器特性 | 第46-48页 |
| 4.3 基于碲化镉量子点的二极管电存储器的制 | 第48-50页 |
| 4.3.1 碲化镉量子点薄膜器件的制备 | 第48页 |
| 4.3.2 碲化镉量子点存储器特性 | 第48-50页 |
| 4.4 基于多种量子点的掺杂型多阶存储器件 | 第50-52页 |
| 4.4.1 基于氧化石墨烯量子点及碲化镉量子点的器件制备 | 第50-51页 |
| 4.4.2 基于氧化石墨烯量子点及碲化镉量子点的多阶存储特性研究 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 有机小分子 DCB/DCTA 和氮杂芴材料的二极管存储器件 | 第54-62页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 小分子 DCB/DCTA 的二极管电存储特性研究 | 第55-59页 |
| 5.2.1 基于小分子 DCB/DCTA 的器件制备 | 第56页 |
| 5.2.2 基于小分子 DCB/DCTA 的二极管器件的电存储特性研究 | 第56-59页 |
| 5.3 氮杂芴的二极管电存储特性研究 | 第59-61页 |
| 5.3.1 基于氮杂芴的器件制备 | 第59页 |
| 5.3.2 基于氮杂芴的器件的电存储特性研究 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第71-72页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第72-73页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
