| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 引言 | 第7-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第7-12页 |
| 1.1.1 MOS器件的发展及其面临的挑战 | 第7-9页 |
| 1.1.2 新型多栅MOS器件及其优势 | 第9-12页 |
| 1.1.3 器件建模的意义 | 第12页 |
| 1.2 新型MOS器件建模研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文主要内容和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 FinFET基本原理和仿真研究 | 第17-28页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD仿真工具介绍 | 第17-20页 |
| 2.1.1 仿真工具 | 第17-18页 |
| 2.1.2 模型选择 | 第18-20页 |
| 2.2 FinFET基本原理和工艺流程 | 第20-25页 |
| 2.2.1 FinFET基本原理 | 第20-23页 |
| 2.2.2 FinFET制造工艺 | 第23-25页 |
| 2.3 FinFET电特性仿真研究 | 第25-28页 |
| 2.3.1 SOI和bulk FinFET电学特性仿真对比 | 第25-26页 |
| 2.3.2 三栅和双栅FinFET电学特性仿真对比 | 第26-28页 |
| 第三章 SOI FinFET亚阈值解析模型及仿真验证 | 第28-40页 |
| 3.1 亚阈值电势解析模型 | 第28-33页 |
| 3.2 阈值电压 | 第33-35页 |
| 3.3 亚阈值电流 | 第35-37页 |
| 3.4 亚阈值摆幅 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 无结围栅MOSFET解析模型与仿真验证 | 第40-54页 |
| 4.1 无结围栅(JLSG)MOSFET的基本原理 | 第40-41页 |
| 4.2 无结围栅MOSFET的解析模型研究 | 第41-52页 |
| 4.2.1 电势模型 | 第41-43页 |
| 4.2.2 闽值电压 | 第43-46页 |
| 4.2.3 SCE和DIBL效应 | 第46-47页 |
| 4.2.4 亚阈值摆幅 | 第47-48页 |
| 4.2.5 验证和讨论 | 第48-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 双材料双栅MOSFET建模与仿真研究 | 第54-60页 |
| 5.1 电势模型 | 第54-56页 |
| 5.2 亚阈值摆幅 | 第56-57页 |
| 5.3 验证与讨论 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录Ⅰ SOI FinFET利用电势模型求沟道横截面电势分布的MATLAB代码 | 第66-68页 |
| 附录Ⅱ SOI FinFET仿真Sentaurus SWB中Sdevice输入文件 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
